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J-GLOBAL ID：201702266821480974   整理番号：17A1636577

SKAバンド2年から5年までの極低温LNA【Powered by NICT】

Cryogenic LNAs for SKA band 2 to 5

著者 (10件)： Schleeh J. (Noise Factory, Gothenburg, SE-412 63, Sweden) ,  Moschetti G. (Noise Factory, Gothenburg, SE-412 63, Sweden) ,  Wadefalk N. (Noise Factory, Gothenburg, SE-412 63, Sweden) ,  Cha E. (GigaHertz Centre, Department of Microtechnology and Nanoscience - MC2, Chalmers University of Technology, Gothenburg, SE-412 96, Sweden) ,  Pourkabirian A. (Noise Factory, Gothenburg, SE-412 63, Sweden) ,  Alestig G. (GigaHertz Centre, Department of Microtechnology and Nanoscience - MC2, Chalmers University of Technology, Gothenburg, SE-412 96, Sweden) ,  Halonen J. (GigaHertz Centre, Department of Microtechnology and Nanoscience - MC2, Chalmers University of Technology, Gothenburg, SE-412 96, Sweden) ,  Nilsson B. (GigaHertz Centre, Department of Microtechnology and Nanoscience - MC2, Chalmers University of Technology, Gothenburg, SE-412 96, Sweden) ,  Nilsson P. A. (GigaHertz Centre, Department of Microtechnology and Nanoscience - MC2, Chalmers University of Technology, Gothenburg, SE-412 96, Sweden) ,  Grahn J. (GigaHertz Centre, Department of Microtechnology and Nanoscience - MC2, Chalmers University of Technology, Gothenburg, SE-412 96, Sweden)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IMS  ページ： 164-167  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Square Kilometer Array(SKA)バンド2~5(0.95-13.8 GHz)に適した四超低雑音極低温MMIC LNAを設計し,作製し,包装し,試験した。LNAは4×50 8×50および16×50μm HEMTに基づく,安定した低温動作のために設計された,良好な雑音性能とリターンロスの組合せを可能にした。四バンドにおいて測定された最低の雑音温度は1.0K,1.2K,1.6Kおよび2.6Kであった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： HEMT ,  *極低温 ,  MMIC ,  *低温 ,  雑音温度 ,  雑音特性
準シソーラス用語： 反射減衰量 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (2件)： 極低温 ,  LNA