文献

J-GLOBAL ID：201702266840368579   整理番号：17A1248146

低格子温度での縮退したIII-V半導体中の音響的および圧電的フォノンとの結合相互作用により制御されるキャリアの加熱【Powered by NICT】

Heating of carriers as controlled by the combined interactions with acoustic and piezoelectric phonons in degenerate III-V semiconductors at low lattice temperature

著者 (4件)： Bhattacharya D.P. (Dept. of Physics, Jadavpur University, Kolkata 700032, India) ,  Das J. (Dept. of Physics, Jadavpur University, Kolkata 700032, India) ,  Basu A. (Dept. of Physics, Jadavpur University, Kolkata 700032, India) ,  Das B. (Dept. of Physics, Jadavpur University, Kolkata 700032, India)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 520  ページ： 106-111  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反転対称性を欠く化合物半導体では,音響および圧電フォノンと電子の複合的相互作用は低格子温度( 20K)で支配的であった。これらの条件下での有効電子温度の電場依存性,縮退の考慮を入れた修正エネルギーバランス方程式を解くことにより計算した。非平衡分布関数のための伝統的に使用される加熱Fermi-Dirac(F.D.)機能は,いくつかの十分に試験したモデル分布によって近似した。これは極めて容易に積分を行うために,閉じた形でいくつかのより現実的な結果を得ることを可能にする,単純化近似に依存しなかった。,本解析から,InSb,InAsとGaNの従う数値結果を入手可能な理論および実験データと比較した。縮退と圧電相互作用,の両方が電子温度特性の有意な変化をもたらすことが分かった。更なる改善に対する展望を考察した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *縮退 ,  *圧電気 ,  化合物半導体 ,  窒化ガリウム ,  エネルギー収支 ,  *フォノン ,  近似法 ,  電子温度 ,  非平衡状態 ,  *相互作用 ,  アンチモン化インジウム ,  *音響 ,  分布関数 ,  ヒ化インジウム
準シソーラス用語： *格子温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 縮退半導体 ,  複合散乱 ,  モデル分布 ,  高電界輸送 ,  低温度

分類 (3件)： ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 格子温度 ,  縮退 ,  III-V半導体 ,  音響 ,  圧電 ,  フォノン ,  相互作用 ,  キャリア