文献

J-GLOBAL ID：201702266861440656   整理番号：17A0618535

水素化物気相成長によるケイ素上の自己触媒GaAsナノワイヤ

Self-catalyzed GaAs nanowires on silicon by hydride vapor phase epitaxy

著者 (16件)： DONG Zhenning (Univ. Clermont Auvergne, Clermont-Ferrand, FRA) ,  ANDRE Yamina (Univ. Clermont Auvergne, Clermont-Ferrand, FRA) ,  ANDRE Yamina (ITMO Univ., St. Petersburg, RUS) ,  DUBROVSKII Vladimir G (ITMO Univ., St. Petersburg, RUS) ,  DUBROVSKII Vladimir G (St. Petersburg Academic Univ., St. Petersburg, RUS) ,  DUBROVSKII Vladimir G (Ioffe Physical Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  BOUGEROL Catherine (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  BOUGEROL Catherine (Inst. Neel, CNRS, Grenoble, FRA) ,  LEROUX Christine (Univ. du Sud Toulon-Var, La Garde, FRA) ,  LEROUX Christine (UMR 6242, CNRS, La Garde, FRA) ,  RAMDANI Mohammed R (Univ. Clermont Auvergne, Clermont-Ferrand, FRA) ,  MONIER Guillaume (Univ. Clermont Auvergne, Clermont-Ferrand, FRA) ,  TRASSOUDAINE Agnes (Univ. Clermont Auvergne, Clermont-Ferrand, FRA) ,  CASTELLUCI Dominique (Univ. Clermont Auvergne, Clermont-Ferrand, FRA) ,  GIL Evelyne (Univ. Clermont Auvergne, Clermont-Ferrand, FRA) ,  GIL Evelyne (ITMO Univ., St. Petersburg, RUS)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 12  ページ： 125602,1-9  発行年： 2017年03月24日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガリウム触媒水素化物気相成長法により,Si(111)基板上にGaAsナノワイヤを600°C及び非常に高いGaCl/As流量で成長させた。この成長条件により無金GaAsナノワイヤのHVPE及びMOVPE合成の主な困難さ,即ち,Ga前駆体の低い堆積効率を克服できた。ナノワイヤの長さは僅か10分間の成長で10μmを超え,構造欠陥はほぼ皆無であった。ナノワイヤは最初先細であったが,僅か5nmの記録的最小半径で直線になった。実験の知見を十分に説明できるモデルを開発した。ナノワイヤ成長は適当な条件下でSiO₂/Si(111)表面上で核を形成するGa液滴により触媒されると考えた。

シソーラス用語： *気相成長 ,  ケイ素 ,  自触媒作用 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ナノワイヤ ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  水素化物 ,  二酸化ケイ素 ,  金属触媒 ,  ガリウム
準シソーラス用語： ガリウム触媒 ,  成長機構

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素化物 ,  気相成長 ,  ケイ素 ,  自己触媒 ,  GaAs ,  ナノワイヤ