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J-GLOBAL ID：201702266938158094   整理番号：17A0591868

溶液処理されたIZO薄膜トランジスタの電気的特性に及ぼす大気条件の影響

Influence of Atmospheric Conditions on Electrical Characteristics of Solution-Processed IZO Thin-Film Transistors

著者 (4件)： BAANG Sungkeun (Hallym Univ., Chuncheon, KOR) ,  LEE Hyeonju (Hallym Univ., Chuncheon, KOR) ,  HAM Youngjin (Hallym Univ., Chuncheon, KOR) ,  PARK Jaehoon (Hallym Univ., Chuncheon, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 6  ページ： 4123-4126  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,溶液処理された酸化インジウム亜鉛(IZO) TFTの電気的動作に及ぼす環境条件の影響を調べた。厚さ100nmの二酸化シリコン誘電体層を有するシリコン基板上にボトムゲート/上部コンタクト構造を有する溶液処理されたIZO TFTを形成した。電界放出型走査電子顕微鏡およびX線光電子分光測定を用いて,IZO膜の形態学的および化学的特性を調査し,半導体パラメータアナライザを用いて,異なる環境条件下でトランジスタの電気的特徴付けを行った。空気中で得られた結果と比較して,真空中において,閾値電圧の正のシフトおよびドレイン電流の減少が発生した。一方,O₂およびN₂ガス環境下において,TFT特性は非常に安定していた。著者等は,実験結果の比較分析により,TFTの性能に対する周囲分子の影響が説明できることを示唆した。

シソーラス用語： 処理 ,  *薄膜トランジスタ ,  *電気的性質 ,  *条件 ,  ゲート【半導体】 ,  *インジウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *金属酸化物 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線光電子分光法 ,  形態 ,  化学的性質 ,  電圧 ,  電流
準シソーラス用語： 溶液処理 ,  *電気的特性 ,  *大気条件 ,  ボトムゲート ,  *酸化インジウム亜鉛 ,  電界放出型走査電子顕微鏡 ,  硬X線光電子分光 ,  化学的特性 ,  閾値電圧 ,  ドレイン電流

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 溶液処理 ,  薄膜トランジスタ ,  電気的特性 ,  大気条件