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J-GLOBAL ID：201702266960219306   整理番号：17A1727941

水素プラズマ処理による単分子層二セレン化モリブデンの水素化【Powered by NICT】

Hydrogenation of monolayer molybdenum diselenide via hydrogen plasma treatment

著者 (7件)： Ma Kyung Yeol (Department of Energy Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), UNIST-gil 50, Ulsan 44919, Republic of Korea. [e-mail]) ,  Yoon Seong In ,  Jang A-Rang ,  Jeong Hu Young ,  Kim Yong-Jin ,  Nayak Pramoda K. ,  Shin Hyeon Suk
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 43  ページ： 11294-11300  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属二カルコゲン化物の官能化は,それらの電気的および光学的性質を調整する目的で研究されているが,官能化とその可逆性中の構造情報は解明されていない。水素プラズマ処理を用いた単層MoSe_2の水素化のための簡単で効果的な方法を報告した。MoSe_2への水素の共有結合をX線光電子分光法により確認され,水素化の程度は,プラズマ処理時間を0から540秒から32%~80%変調された。透過型電子顕微鏡は,構造的損傷や欠陥のない水素化MoSe_2の格子定数の1.5%減少を確認した;水素化MoSe_2,調製したままのMoSe_2の結晶構造は同一であった。水素化MoSe_2の光ルミネセンス(PL)研究は,MoSe_2への水素からの電荷移動を示した。さらに,水素化MoSe_2からの水素の可逆的脱離は,熱処理によって達成された。合成したままおよび水素化MoSe_2試料の光学的及び電気的性質を比較した。水素化MoSe_2のPLピーク500°Cでの熱処理後に調製したままの一つに戻った。MoSe_2の電子移動度は水素化後から29~9cm~2V~ 1s~ 1減少し,500°Cでの熱処理において27cm~2V~ 1秒~ 1に回復した。この可逆的水素吸着と脱着を単分子層MoSe_2の光学的および電気的特性の制御を提供し,単分子層遷移金属二カルコゲン化物と他の二次元材料の水素官能化に寄与している。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  電荷移動 ,  *プラズマ処理 ,  *水素化 ,  *単分子層 ,  脱着 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *水素 ,  結晶構造 ,  熱処理 ,  官能化 ,  光ルミネセンス ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： 水素吸着 ,  *水素プラズマ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  分析機器  (CC02020S) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素プラズマ ,  単分子層 ,  セレン化モリブデン ,  水素化