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J-GLOBAL ID：201702266970197820   整理番号：17A1304820

プラズマ増強エピタキシーによる正方晶Siの成長

Growth of Tetragonal Si via Plasma-Enhanced Epitaxy

著者 (11件)： CHEN Wanghua (Univ. Paris-Saclay, Palaiseau, FRA) ,  CHEN Wanghua (IPVF (Inst. Photovoltaieque d’Ile-de-France), Antony, FRA) ,  HAMON Gwenaeelle (Univ. Paris-Saclay, Palaiseau, FRA) ,  HAMON Gwenaeelle (Total SA, Paris La Defense, FRA) ,  LEAL Ronan (Univ. Paris-Saclay, Palaiseau, FRA) ,  LEAL Ronan (IPVF (Inst. Photovoltaieque d’Ile-de-France), Antony, FRA) ,  LEAL Ronan (Total SA, Paris La Defense, FRA) ,  MAURICE Jean-Luc (Univ. Paris-Saclay, Palaiseau, FRA) ,  LARGEAU Ludovic (C2N, CNRS, Marcoussis, FRA) ,  CABARROCAS Pere Roca i (Univ. Paris-Saclay, Palaiseau, FRA) ,  CABARROCAS Pere Roca i (IPVF (Inst. Photovoltaieque d’Ile-de-France), Antony, FRA)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 17  号： 8  ページ： 4265-4269  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波プラズマ増強化学蒸着反応器を用いて,低温でc-Si基板上に水素化c-Si(c-Si:H)を成長させた。X線回折,透過型電子顕微鏡(TEM),高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM),および二次イオン質量分析により,得られたc-Si:Hを特徴付けた。TEMとHRTEMにより,エピタキシャル層内に水素プレートレットの存在を確認することができた。c-Si基材と比較して,面内格子パラメータは小さく面外格子パラメータは大きいことが判明した。これは,c-Si:H層が正方晶構造であることを明らかにした,逆格子空間マップからの結果と一致した。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *結晶 ,  *正方晶系 ,  *プラズマCVD ,  結晶成長 ,  二次イオン質量分析 ,  格子定数 ,  空間 ,  *エピタクシー ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： *ケイ素結晶 ,  逆格子空間 ,  HRTEM法

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ ,  増強 ,  エピタキシー ,  正方晶 ,  Si ,  成長