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J-GLOBAL ID:201702266996571760   整理番号:17A1489567

広範囲多機能デバイスの製造のための強化された核形成/バイアス増強成長を偏らせる大面積ホットフィラメント化学蒸着による多機能超ナノ結晶ダイヤモンド膜の大面積合成に向けての基礎【Powered by NICT】

Fundamentals towards large area synthesis of multifunctional Ultrananocrystalline diamond films via large area hot filament chemical vapor deposition bias enhanced nucleation/bias enhanced growth for fabrication of broad range of multifunctional devices
著者 (15件):
資料名:
巻: 78  ページ: 1-11  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0498A  ISSN: 0925-9635  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,タングステン(W)被覆した100mm直径のシリコン基板上に比較的大面積均一多機能超ナノ結晶ダイヤモンド(UNCD)膜の核形成/成長のための熱フィラメント化学蒸着(HFCVD)/バイアス増強核形成バイアス増強成長(BEN BEG)プロセスを開発する研究を記述し,基板表面の従来の湿式ダイヤモンド粒子「シーディング」を除去した。HFCVD/BEN BEGプロセスは,プラズマを生成し,負の基板に対する正バイアスフィラメント間の電場による,Ar rich/CH_4H2ガス混合物中で正荷電および中性Ar,CHx(x=123),CおよびH種と電子を生成した。C~+をベースにしたイオンは基板表面W炭化物層の核形成に影響を与える,均一なUNCD膜の核形成/成長をもたらした。0.5 2 0.5時間HFCVD BEN-BEG機構を理解することに焦点を当てた。BEN,続いて無バイアス2.0時間による100mm直径基板上に均一なUNCD膜の成長。このアプローチは,BENの2.5時間を越えたBEGを行うときに観察されたUNCD膜のエッチングを除去し,膜のイオン衝撃誘起スパッタリングおよび/または複合原子間水素誘起化学エッチングによるものであった。高分解能透過型電子顕微鏡は(001)と(101)配向WC結晶粒の形成を示し,誘導(111)ダイヤモンド粒形成,更なる成長に(220)及び(311)配向に変化した。多機能UNCD膜を成長させるために大面積HFCVD BEN-BEGプロセスは新世代UNCDベース多機能デバイスを可能にするかもしれない。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  炭素とその化合物 

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