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J-GLOBAL ID：201702267038176795   整理番号：17A0561645

太陽電池用多結晶シリコン育成時における不純物分布の数値解析と結晶成長実験への適用

著者 (5件)： 中野智 (九大 応用力学研) ,  高冰 (九大 応用力学研) ,  原田博文 (九大 応用力学研) ,  宮村佳児 (九大 応用力学研) ,  柿本浩一 (九大 応用力学研)
資料名： 東京大学総合技術研究会予稿集 平成29年度(CD-ROM)  (東京大学総合技術研究会予稿集 平成29年度(CD-ROM))
ページ： ROMBUNNO.P02-20  発行年： 2017年 
JST資料番号： N20170434  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  ポリシリコン ,  *不純物分布 ,  *数値解析 ,  *結晶成長 ,  エネルギー変換効率 ,  濃度 ,  インゴット
準シソーラス用語： *半導体結晶成長 ,  酸素濃度

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 太陽電池 ,  多結晶シリコン ,  不純物分布 ,  数値解析 ,  結晶成長 ,  実験