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J-GLOBAL ID：201702267069324950   整理番号：17A0615957

磁気赤外分光法によるInAs/GaSb二重量子井戸中での半導体から半金属転移へのプローブ

Probing the semiconductor to semimetal transition in InAs/GaSb double quantum wells by magneto-infrared spectroscopy

著者 (15件)： JIANG Y. (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  THAPA S. (Univ. Florida, Florida, USA) ,  SANDERS G. D. (Univ. Florida, Florida, USA) ,  STANTON C. J. (Univ. Florida, Florida, USA) ,  ZHANG Q. (Rice Univ., Texas, USA) ,  KONO J. (Rice Univ., Texas, USA) ,  LOU W. K. (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LOU W. K. (Univ. Sci. and Technol. China, Anhui, CHN) ,  CHANG K. (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  CHANG K. (Univ. Sci. and Technol. China, Anhui, CHN) ,  HAWKINS S. D. (Sandia National Lab., New Mexico, USA) ,  KLEM J. F. (Sandia National Lab., New Mexico, USA) ,  PAN W. (Sandia National Lab., New Mexico, USA) ,  SMIRNOV D. (National High Magnetic Field Lab., Florida, USA) ,  JIANG Z. (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 95  号： 4  ページ： 045116.1-045116.6  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *金属-半導体転移 ,  *多重量子井戸 ,  キャリア密度 ,  磁気光学効果 ,  量子閉込め ,  磁場 ,  ヒ化インジウム ,  アンチモン化ガリウム
準シソーラス用語： *半導体-金属転移 ,  *二重量子井戸 ,  磁気光吸収 ,  磁場依存性

分類 (2件)： 固相転移  (BL04020G) ,  非晶質金属の構造  (BK04020D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 磁気 ,  赤外分光法 ,  InAs ,  GaSb ,  二重量子井戸 ,  半金属 ,  プローブ