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J-GLOBAL ID：201702267095570171   整理番号：17A1510371

優れた分子接合における大きなスピン整流と高効率スピンフィルタリング【Powered by NICT】

Large spin rectifying and high-efficiency spin-filtering in superior molecular junction

著者 (6件)： Deng Yuan-Xiang (Department of Applied Physics, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha, 410082, China) ,  Deng Yuan-Xiang (Department of Mathematics and Physics, Hunan Institute of Technology, Hengyang, 421002, China) ,  Chen Shi-Zhang (Department of Applied Physics, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha, 410082, China) ,  Zeng Yun (Department of Applied Physics, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha, 410082, China) ,  Zhou Wu-Xing (Department of Applied Physics, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha, 410082, China) ,  Chen Ke-Qiu (Department of Applied Physics, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha, 410082, China)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 50  ページ： 184-190  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非平衡Green関数法と組み合わせた密度汎関数理論を用いて,アセン分子の分子整流器ベース,ジグザグとアームチェア型グラフェンナノリボン(GNR)により接続されたを設計した。スピンに依存した電子輸送研究は,大きな整流比(10~4)と高効率スピンフィルタリング(100%)は,低バイアス電圧で観測できることを示した。輸送特性を調節するために,著者らはアセン分子の異なる位置におけるN対をドープし,整流比はドーピング位置に強く依存することを見出した。興味深いことに,完全なスピンフィルタリングはドープしたデバイスで維持されている。シミュレーションによると,4 アセン超分子は有望なナノスケールデバイスを形成することができることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーピング ,  整流器 ,  折れ線 ,  超分子 ,  *整流 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  バイアス電圧 ,  整流比 ,  電子輸送 ,  グラフェンナノリボン ,  非平衡Green関数 ,  *スピンフィルタリング ,  *高効率 ,  *分子接合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 優れた分子接合 ,  スピン依存電子輸送 ,  スピン整流 ,  スピンフィルタリング効果

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子接合 ,  スピン ,  整流 ,  高効率 ,  スピンフィルタリング