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J-GLOBAL ID：201702267189628940   整理番号：17A1633195

酸性媒質中での窒化ガリウム光腐食電位の電気化学的定量【Powered by NICT】

Electrochemical determination of the gallium-nitride photocorrosion potential in acidic media

著者 (2件)： Baker D. R. (U.S. Army Research Laboratory, Sensors and Electron Devices Directorate, Adelphi, MD 20783, USA. [e-mail]) ,  Lundgren C. A.
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 39  ページ： 20978-20984  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガリウム窒化物系半導体は,光電気化学水分解用の高速反応速度による効率的な光吸収体としての有用性を実証したが,それらは依然として水性溶液中の長い寿命安定性を実証する必要がある。腐食反応電位は水分解反応に,半導体光吸収体/反応器の伝導帯と価電子帯に関連しているかを理解することが必要である。本研究ではGa~3+および1+2n_2GaNの以前に確立された酸性媒体光腐食反応を電気化学的に調べた。Mott-Schottky分析を用いて光腐食電位は正孔トラップとして作用するGa表面状態に関連した0.66±0.07V対RHE(pH 1)であることが分かった。XPSにより決定されたMott-Schottky解析によって見出された光腐食電位はエッチング前と後のGaNのFermi準位に関連していることが分かった。SEMイメージングは,光腐食可能性を確認するために使用され,電解質への正孔スカベンジャーを導入すること光腐食の速度を制限する可能性があることを示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸性 ,  正孔 ,  価電子バンド ,  *腐食 ,  光電気化学 ,  分解反応 ,  *窒化ガリウム ,  反応速度 ,  *腐食電位 ,  *ガリウム ,  光吸収 ,  半導体 ,  伝導バンド ,  水溶液
準シソーラス用語： 水分解 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸性 ,  媒質 ,  窒化ガリウム ,  腐食電位 ,  電気化学 ,  定量