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J-GLOBAL ID：201702267232454018   整理番号：17A1345189

簡単なPr_0 7Ca_0 3MnO_3ベースSelectorless RRAMのメモリ性能【Powered by NICT】

Memory Performance of a Simple Pr_0.7Ca_0.3MnO₃-Based Selectorless RRAM

著者 (4件)： Kumbhare P. (Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, India) ,  Chakraborty I. (Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, India) ,  Khanna A. (Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, India) ,  Ganguly U. (Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, India)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 9  ページ： 3967-3970  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)素子の低抵抗状態(LRS)電流の非線形性(NL)の増強はselectorless RRAMアレイのための重要な課題である。従来のアプローチは,複数の誘電体を添加することに基づいており,例えば,スタック単純さを犠牲にしてNLを可能にするトンネル層。本短報では,この高NLを示すPr_0 7Ca_0 3MnO_3(PCMO)に基づくselectorless RRAM素子を示した。提示した単一酸化物層素子(W/PCMO/Pt)は,余分なトンネル障壁層を持たないselectorless RRAMを可能にした。実証したデバイスは自由形成する。READ動作(105±5)とSET動作(44±4)と共に直流循環における大きなメモリウィンドウ(160±2)のための低SET電流密度(10~4 A/cm~2)とLRS電流の高いNLを示した。さらに,デバイスは非常に低いデバイスごとの可変性(σ/μ<0.23)と共に優れた保持(200°Cで十年),良好なパルス耐久性(>10~4サイクルの分解),および可能性のあるマルチレベル細胞能力を示さなかった。自己加熱ベース鋭い電流増加はNLはselectorless運転を可能にするために生成する。このようにして,新しい機構に基づくselectorless PCMO RRAMは文献に対して提示し,ベンチマークした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  ベンチマーク ,  耐久性 ,  非線形性 ,  直流 ,  誘電体 ,  電流密度 ,  *記憶装置 ,  パルス
準シソーラス用語： 自己加熱 ,  マルチレベル ,  トンネル障壁 ,  酸化物層 ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (1件)： RRAM