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J-GLOBAL ID：201702267254889106   整理番号：17A0937842

ダイヤモンド/c-BN多層膜の原子構造,電子特性,一般化積層欠陥エネルギー【Powered by NICT】

Atomic structure, electronic properties and generalized stacking fault energy of diamond/c-BN multilayer

著者 (5件)： Lin Zijun (College of Aerospace Engineering, Chongqing University, Chongqing 400044, China. [e-mail]) ,  Peng Xianghe ,  Huang Cheng ,  Fu Tao ,  Wang Zhongchang
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 47  ページ： 29599-29605  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイヤモンド/c-BN多層膜の原子構造,電子的性質および一般化積層欠陥(GSF)エネルギーを第一原理計算により系統的に調べた。全十二の界面構造を考慮した,二c-BN終端,その各々は二ダイヤモンド終端および三積層順序を含んでいる。二つの安定な界面構造,界面近くの積層順序は,バルクダイヤモンドのそれと同じであり,界面を横切って滑らかな遷移を意味している)を同定した。いくつかの分析法を用いて,界面結合は主として混合共有-イオン的性質の,共有結合性は界面Csp状態とB.状態間の.~3ハイブリダイゼーションに由来することを見出した。界面に対するGSFエネルギー曲線の形状はバルクダイヤモンドとc-BNのそれに類似しており,その前者の不安定GSFエネルギーは後者のそれよりも小さい。界面近傍の滑り面のgenralized stacking fault(GSF)エネルギーは,界面効果により著しく変化させ,それらは滑り系に依存していることを意味している。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *積層欠陥エネルギー ,  *ダイヤモンド ,  滑り面 ,  *積層欠陥 ,  界面 ,  *多層膜 ,  共有結合 ,  *原子構造 ,  計算
準シソーラス用語： すべり系 ,  積層順序 ,  界面構造 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  金属の格子欠陥  (BK12030F)

タイトルに関連する用語 (7件)： ダイヤモンド ,  BN ,  多層膜 ,  原子構造 ,  電子 ,  一般化 ,  積層欠陥エネルギー