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J-GLOBAL ID:201702267285655247   整理番号:17A1359465

中赤外におけるSiフォトニクスを可能にするかGeとGeSnレーザ【Powered by NICT】

Will Ge and GeSn lasers enable Si photonics in the Mid-Infrared?
著者 (14件):
資料名:
巻: 2017  号: SUM  ページ: 27-28  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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近赤外(近赤外)光データ通信のために,シリコンフォトニクスは成熟した技術となった。datacomsに関連した技術開発に基づいて,シリコンフォトニクスは,中赤外(mid-IR)に拡大し,ほとんど光学的ガスセンシング。,開発はCMOS製造工程と両立するモノリシック集積レーザ源の欠如により妨げられている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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光集積回路,集積光学  ,  固体デバイス製造技術一般  ,  半導体集積回路 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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