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J-GLOBAL ID：201702267322829792   整理番号：17A1392467

ステンシルリソグラフィーによるサブミクロンチャネル長有機薄膜トランジスタのパラメータ均一性【Powered by NICT】

Parameter Uniformity of Submicron-Channel-Length Organic Thin-Film Transistors Fabricated by Stencil Lithography

著者 (4件)： Zschieschang Ute (Max Planck Institute for Solid State Research, Stuttgart, Germany) ,  Letzkus Florian (Institut fuer Mikroelektronik, Stuttgart, Germany) ,  Burghartz Joachim N. (Institut fuer Mikroelektronik, Stuttgart, Germany) ,  Klauk Hagen (Max Planck Institute for Solid State Research, Stuttgart, Germany)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 16  号： 5  ページ： 837-841  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分解能ステンシルリソグラフィーを用いて,0.5μmのチャネル長さと2μmのゲート-ソースとゲート-ドレインオーバーラップを持つことを,ボトムゲート・トップコンタクト(反転スタガード)有機薄膜トランジスタを作製した。小チャネル長のために,トランジスタは(0.50±0.05)の大きな幅正規化相互コンダクタンスを有し,(0.36±0.04)cm~2Vの比較的小さな電荷キャリア移動度にもかかわらず16トランジスタのアレイを横断して,相互コンダクタンスの均一性は約9%(1σ)であり,キャリア移動度の均一性は約7%であり,しきい値電圧の均一性は約4%であり,サブしきい値勾配は95~150mV/decadeを変化し,オン/オフ電流比は7×10~4と3×10~6の間で変化した。著者らの知る限り,これはサブミクロンチャネル長有機TFTのパラメータ分布を報告したのはこれが初めてである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高分解能 ,  正規化 ,  *チャネル ,  相互コンダクタンス ,  キャリア移動度 ,  *トランジスタ
準シソーラス用語： オフ電流 ,  サブ閾値 ,  閾値電圧 ,  ボトムゲート ,  *有機薄膜トランジスタ ,  *チャネル長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ステンシル ,  リソグラフィー ,  サブ ,  チャネル長 ,  有機薄膜トランジスタ ,  パラメータ ,  均一性