文献

J-GLOBAL ID：201702267346806842   整理番号：17A1521649

プロトンが窒化ガリウム中に変位損傷を生じるGeant4のシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Geant4 Simulation of Proton Displacement Damage in GaN

著者 (4件)： He Bowen (西安交通大学核科学与技術学院,陜西西安,710049) ,  He Chaohui (西安交通大学核科学与技術学院,陜西西安,710049) ,  Shen Shuaishuai (西安交通大学核科学与技術学院,陜西西安,710049) ,  Chen Yuanmiaoliang (西安交通大学核科学与技術学院,陜西西安,710049)
資料名： Yuanzineng Kexue Jishu  (Yuanzineng Kexue Jishu)
巻： 51  号： 3  ページ： 543-548  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2078A  ISSN： 1000-6931  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 材料が照射された時に生じる変位損傷は、その微細構造を変化させ、それによって、ある程度の使用性能を劣化させ、その使用効率に影響を与え、その使用寿命を短縮することができる。Geant4を用いて、窒化ガリウム中のプロトンの輸送過程を模擬し、1、10,100、500MeVエネルギー陽子入射窒化ガリウム材料によって発生した一次衝突原子の種類、エネルギー情報及び離原子数を計算した。10MeVの陽子によって生じる変位欠陥の分布を得た。非イオン化エネルギー損失(NIEL)を,4種類のエネルギー陽子を有する窒化ガリウム材料において計算した。プロトンによって引き起こされる変位損傷プロセスの影響因子について研究した。研究により、入射陽子エネルギーが材料中に発生した一次衝突原子の種類、エネルギー、離原子数などの情報に対して非常に大きな影響を与えることが分かった。単位厚さによって蒸着されたNIELは,入射陽子エネルギーの増加とともに減少した。10MeV陽子入射窒化ガリウムにより発生した離原子数は入射深さの増加につれて増加するが、その射程範囲を超える以外に巨大な戻りがある。エネルギーは,プロトンと窒化ガリウムの間の相互作用に影響を及ぼす唯一の因子ではない。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *はじき出し損傷 ,  相互作用 ,  微細構造 ,  イオン化ポテンシャル ,  *陽子 ,  *窒化ガリウム ,  輸送現象
準シソーラス用語： 影響因子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： proton ,  GaN ,  displacement damage ,  Geant4

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： プロトン ,  窒化ガリウム ,  変位損傷 ,  Geant4 ,  シミュレーション