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J-GLOBAL ID：201702267395334591   整理番号：17A0621146

光電素子中の界面層としての応用のための結晶酸化モリブデン薄膜

Crystalline Molybdenum Oxide Thin-Films for Application as Interfacial Layers in Optoelectronic Devices

著者 (14件)： CAUDURO Andre L.F. (Univ. Southern Denmark, Sonderborg, DNK) ,  DOS REIS Roberto (LBNL, California, USA) ,  CHEN Gong (LBNL, California, USA) ,  SCHMID Andreas K. (LBNL, California, USA) ,  METHIVIER Christophe (Sorbonne Univ., Paris, FRA) ,  METHIVIER Christophe (UPMC Univ Paris 06, Paris, FRA) ,  RUBAHN Horst-Guenter (Univ. Southern Denmark, Sonderborg, DNK) ,  BOSSARD-GIANNESINI Leo (Sorbonne Univ., Paris, FRA) ,  BOSSARD-GIANNESINI Leo (UPMC Univ Paris 06, Paris, FRA) ,  CRUGUEL Herve (Sorbonne Univ., Paris, FRA) ,  CRUGUEL Herve (UPMC Univ Paris 06, Paris, FRA) ,  WITKOWSKI Nadine (Sorbonne Univ., Paris, FRA) ,  WITKOWSKI Nadine (UPMC Univ Paris 06, Paris, FRA) ,  MADSEN Morten (Univ. Southern Denmark, Sonderborg, DNK)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 8  ページ： 7717-7724  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MoO_x膜ミクロ構造とその電気的性質との関係の完全な理解は,素子応用における利用を改善するために必要である。本研究では,DC-反応性スパッタリングで作られたアモルファスMoO_x薄膜の結晶化を超高真空下でのアニーリングにより行い,膜のナノ構造を表面形態と同様に電気的性質と関係づけた。500°Cでのアニーリングで非晶質固体から斜方晶のα-MoO₃下層バルク膜への相転移が観測され,in situで作製されたほとんど化学量論的なMoO₃に近い約6.3eVの高い仕事関数を得た。また,500°Cでアニールされた膜は,表面に金属的なMoO_x塊を生成することにより,表面における高い伝導性と,単結晶性のα-MoO₃生成による高いキャリア移動度が期待される。

シソーラス用語： スパッタ蒸着 ,  非晶質 ,  *酸化モリブデン ,  *結晶化 ,  *熱処理 ,  斜方晶系 ,  相転移 ,  *仕事関数 ,  *金属性 ,  *電気伝導 ,  *キャリア移動度 ,  ナノ構造 ,  形態
準シソーラス用語： *表面伝導

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光電素子 ,  界面層 ,  応用 ,  結晶 ,  酸化モリブデン ,  薄膜