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J-GLOBAL ID：201702267410566480   整理番号：17A1553910

層状テルル化物:積層欠陥関連化合物の新しいIn_2Ge_2Te_6と熱電特性における低熱伝導率を誘導する【Powered by NICT】

Layered tellurides: stacking faults induce low thermal conductivity in the new In₂Ge₂Te₆ and thermoelectric properties of related compounds

著者 (8件)： Lefevre Robin (Normandie Univ, ENSICAEN, UNICAEN, CNRS, IUT-Caen, CRISMAT, 14000 Caen, France. [e-mail]) ,  Berthebaud David ,  Lebedev Oleg ,  Perez Olivier ,  Castro Celia ,  Gascoin Stephanie ,  Chateigner Daniel ,  Gascoin Franck
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 36  ページ： 19406-19415  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい三元層状化合物In_2Ge_2Te_6,hexatellurogermanateファミリーに属することを密閉シリカチューブ中で高温で適切な量の純元素の反応から合成した。In_2Ge_2Te_6は格子定数を持つ菱面体空間群R3 :H=7.0863(3)Åおよび21.206(2)Åで結晶化し,その構造を単結晶X線回折を用いて解決した。AMTe_3(=In,Cr,M=Ge及びSi)ファミリーに属する化合物の輸送特性(Seebeck係数,電気抵抗率および熱伝導率)を報告した。全ての化合物はp型半導体であった。InSiTe_3とCr_2Si_2Te_6は良好な熱電材料で,473Kで10~ 6と10~ 5Wm~ 2K~ 2の最大力率にはあまりにも抵抗が,In_2Ge_2Te_6とCr_2Ge_2Te_6は673Kで約10~ 4と10~ 3Wm~ 2K~ 2の最大値を示した。全ての化合物は2Wm~ 1K~ 1以下の熱伝導率を示し,In_2Ge_2Te_6の673Kで0.35Wm~ 1K~ 1に低下値であった。透過型電子顕微鏡はこのような低熱伝導率を説明する積層欠陥を明らかにした。最良のZT値は673Kで0.18と773KとIn_2Ge_2Te_6で0.45Cr_2Ge_2Te_6に対して観測された。これらの層状構造の中で,放電プラズマ焼結Cr_2Ge_2Te_6試料はいくつかの熱伝導率異方性が結晶方位に弱くを示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  格子定数 ,  ケイ素 ,  *熱伝導率 ,  結晶方位 ,  *テルル化物 ,  層状組織 ,  層状化合物 ,  熱電材料 ,  *積層欠陥 ,  放電プラズマ焼結 ,  力率
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  輸送特性 ,  *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  物理化学一般その他  (CB01030T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 層状 ,  テルル化物 ,  積層欠陥 ,  関連化合物 ,  熱電特性 ,  熱伝導率 ,  誘導