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J-GLOBAL ID：201702267430947576   整理番号：17A1633504

活性Fバンド反射アレイのための低電力28nm CMOS FD-SOI反射増幅器【Powered by NICT】

A Low-Power 28-nm CMOS FD-SOI Reflection Amplifier for an Active F-Band Reflectarray

著者 (2件)： Landsberg Naftali (School of Electrical Engineering, Tel Aviv University, Tel Aviv, Israel) ,  Socher Eran (School of Electrical Engineering, Tel Aviv University, Tel Aviv, Israel)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 65  号： 10  ページ： 3910-3921  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アクティブ反射アレイのための低電力Fバンド反射増幅器の新しいトポロジーを提案し,CMOS完全空乏シリコン・オン・インシュレータ28nmプロセスを用いて実証した。設計を,周波数応答と中心周波数同調,反射信号の位相制御を可能にする。チップは僅か90×80 μm~2のコア領域を消費し,2×2印刷反射アレイアンテナに取り込まれ,最初の共偏光アクティブ反射アレイを実行している。このような実装は二重偏波能力を持つアクティブ反射アレイ,全二重リンクだけでなく,偏波ダイバーシチ用途に使用することができるを初めて可能にする。反射増幅器と反射アレイの測定結果と同様に,安定な反射増幅器のための設計考察を本報で提示した。106~127GHzの周波数範囲で5~25dBの可変安定利得を達成し,雑音指数10.5~11.7dBであった。全電力消費は6~20mWであった,選択された周波数応答に依存した。28dBiのアクティブアンテナ利得は2×2反射アレイで測定した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 周波数応答 ,  *CMOS ,  アクティブアンテナ ,  偏波ダイバーシチ ,  位相制御 ,  利得 ,  周波数 ,  アレイアンテナ ,  雑音指数 ,  位相幾何学 ,  *増幅器 ,  電力消費
準シソーラス用語： 二重偏波 ,  周波数同調 ,  *低電力化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  マイクロ波・ミリ波通信  (ND08020W) ,  その他の伝送回路素子  (NC04070U)

タイトルに関連する用語 (7件)： 活性 ,  バンド ,  アレイ ,  低電力 ,  CMOS ,  SOI ,  増幅器