11.4 512Gb3b/セルLXIV積層WL3D V NANDフラッシュメモリ【Powered by NICT】

Kim Chulbum; Cho Ji-Ho; Jeong Woopyo; Park Il-han; Park Hyun-Wook; Kim Doo-Hyun; Kang Daewoon; Lee Sunghoon; Lee Ji-Sang; Kim Wontae; Park Jiyoon; Ahn Yang-lo; Lee Jiyoung; Lee Jong-hoon; Kim Seungbum; Yoon Hyun-Jun; Yu Jaedoeg; Choi Nayoung; Kwon Yelim; Kim Nahyun; Jang Hwajun; Park Jonghoon; Song Seunghwan; Park Yongha; Bang Jinbae; Hong Sangki; Jeong Byunghoon; Kim Hyun-Jin; Lee Chunan; Min Young-Sun; Lee Inryul; Kim In-Mo; Kim Sung-Hoon; Yoon Dongkyu; Kim Ki-Sung; Choi Youngdon; Kim Moosung; Kim Hyunggon; Kwak Pansuk; Ihm Jeong-Don; Byeon Dae-Seok; Lee Jin-yub; Park Ki-Tae; Kyung Kye-hyun

文献

J-GLOBAL ID：201702267482063236 整理番号：17A0417538

11.4 512Gb3b/セルLXIV積層WL3D V NANDフラッシュメモリ【Powered by NICT】

11.4 A 512Gb 3b/cell 64-stacked WL 3D V-NAND flash memory

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資料名：
巻： 2017 号： ISSCC ページ： 202-203 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

クラウドコンピューティング,ビッグデータ,モノのインターネットとモバイルコンピューティングのような新興技術の出現は,膨大な量のデータを生成する。ビッグデータの時代では,多様な特性をもつ記憶装置は超高速処理,高容量貯蔵,低コスト,及び低電力運転に必要である。3D NANDを用いたSSDはこれらの要求を満たすために有望である。2014[1]における市場への3D NAND技術が導入されて以来,メモリアレイサイズはほぼ毎年倍増している〔2,3〕。スケーリング3次元NANDアレイ密度を継続するためには,全体的なかびの高さを最小化するための垂直スケールダウンが不可欠である。しかし,垂直スケーリングはWL静電容量とチャネル孔径の変化による積層WLの不均一性のような重要な問題をもたらす。これらの問題を解決するために,本研究は,プログラミング速度向上と消費電力削減のための方式,誤り訂正のためのオンチップ処理アルゴリズムを提案した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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移動通信 , 計算機網

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