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J-GLOBAL ID：201702267496904579   整理番号：17A0884374

MoSe_2単分子層における等電子タングステン置換を用いた欠陥と深い準位の抑制【Powered by NICT】

Suppression of Defects and Deep Levels Using Isoelectronic Tungsten Substitution in Monolayer MoSe₂

著者 (15件)： Li Xufan (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Puretzky Alexander A. (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Sang Xiahan (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  KC Santosh (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Tian Mengkun (Department of Materials Science and Engineering, The University of Tennessee, Knoxville, TN, 37996, USA) ,  Ceballos Frank (Department of Physics and Astronomy, The University of Kansas, Lawrence, KS, 66045, USA) ,  Mahjouri-Samani Masoud (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Wang Kai (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Unocic Raymond R. (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Zhao Hui (Department of Physics and Astronomy, The University of Kansas, Lawrence, KS, 66045, USA) ,  Duscher Gerd (Department of Materials Science and Engineering, The University of Tennessee, Knoxville, TN, 37996, USA) ,  Cooper Valentino R. (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Rouleau Christopher M. (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Geohegan David B. (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Xiao Kai (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 27  号： 19  ページ： ROMBUNNO.201603850  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)の化学蒸着(CVD)中に形成された欠陥は,現在それらの品質とオプトエレクトロニクス特性を制限している。欠陥を抑制し,2D TMDの品質を高めるための効果的な合成と処理戦略は,次世代光電子デバイスを可能にするが緊急に必要である。本研究では,等電子ドーピングは安定な合金を形成し,欠陥を抑制し,CVD成長させたTMD単分子層の光ルミネセンス(PL)を増強するための新しい戦略として提示した。Mo_1- W_x Se_2(0<x<0.18)のCVD成長させた単分子層中のMo原子のW原子の等電子置換は,元のMoSe_2単分子層で見出されたものに比べて50%Se空格子点濃度を効果的に抑制し,欠陥により媒介された無放射再結合の減少,~10倍以上の強いPL,および3の因子によるキャリア寿命の増加をもたらすことを示した。理論的予測はMo_1- W_x Se_2単分子層を形成する等電子W合金化は早い焼入れ速度,欠陥に関連した局在状態から低温(4 125 K)PLによって確認されたを可能にするMoSe_2中の深準位欠陥のエネルギーを上昇させることを明らかにした。等電子置換は,高性能オプトエレクトロニクスおよび電子デバイスの大量生産を実現するための2D TMDの不均一性を制御するための有望な合成法であると思われる。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光ルミネセンス ,  不均一性 ,  *単分子層 ,  低温 ,  *モリブデン ,  化学蒸着 ,  タングステン合金 ,  *深い準位 ,  品質 ,  二次元 ,  大量生産 ,  キャリア寿命 ,  オプトエレクトロニクス
準シソーラス用語： 電子素子 ,  放射再結合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 等電子 ,  Mo1 xWxSe2 ,  単分子層 ,  光ルミネセンス ,  vacancies

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単分子層 ,  タングステン ,  置換 ,  欠陥 ,  深い準位