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J-GLOBAL ID：201702267507742936   整理番号：17A1727295

グラフェンにおける電子移動度に及ぼす歪の影響【Powered by NICT】

Effect of strain on electron mobility in graphene

著者 (3件)： Hirai Hideki (Department of Electrical and Electronic Engineering, Kobe University, Kobe 657-8501, Japan) ,  Ogawa Matsuto (Department of Electrical and Electronic Engineering, Kobe University, Kobe 657-8501, Japan) ,  Souma Satofumi (Department of Electrical and Electronic Engineering, Kobe University, Kobe 657-8501, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SISPAD  ページ： 209-212  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は電子移動度に及ぼす機械的歪の効果とグラフェンの平均電子速度に関する数値研究を提示し,グラフェンは懸濁と仮定し,フォノン散乱が支配的な散乱機構である。フォノン散乱の存在下での非平衡キャリア輸送を記述する歪とBoltzmann輸送方程式の存在における電子バンド構造を記述するために,強束縛定式化を用いることにより,電子移動度は歪の増加と共に非直線的に減少することが分かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 非平衡状態 ,  *グラフェン ,  定式化 ,  電子バンド構造 ,  キャリア輸送 ,  フォノン散乱 ,  電子速度 ,  *電子移動度
準シソーラス用語： 輸送方程式 ,  数値研究 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  電子移動度 ,  歪