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J-GLOBAL ID：201702267585749506   整理番号：17A0364981

VCドープWC-Co超硬合金の粒成長抑制に及ぼす微細構造の研究【Powered by NICT】

Microstructural study on the grain growth inhibition of VC-doped WC-Co cemented carbides

著者 (2件)： Okada K. (Materials & Coating Development Center, Research & Development Division, Advanced Materials & Tools Company, Mitsubishi Materials Corporation, 1511 Furumagi, Joso-shi, Ibaraki 300-2795, Japan) ,  Osada A. (Research & Development Division, Advanced Materials & Tools Company, Mitsubishi Materials Corporation, 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8117, Japan)
資料名： International Journal of Refractory Metals & Hard Materials  (International Journal of Refractory Metals & Hard Materials)
巻： 62  号： PB  ページ： 149-154  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0059B  ISSN： 0263-4368  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 急冷したVCを添加した超硬合金による結晶粒成長抑制機構を研究する最近の研究をレビューした。急速焼入れは超硬合金の焼結状態での微視的特徴を観察することを可能にする。WC/Co界面での(W,V)C_x層の形成は,結晶粒成長速度を制御する液相焼結中に発生した。(W,V)C_x層の構造と厚さは(W,V)C_xとWC粒の間の格子整合に関連している。炭素含有量が異なる界面構造の違いは,結晶粒成長速度の差をもたらした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 液相焼結 ,  *超硬合金 ,  焼入 ,  格子整合 ,  *結晶成長 ,  焼結 ,  微細構造 ,  界面 ,  *ドーピング ,  高速度
準シソーラス用語： 界面構造 ,  炭素量 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  圧粉,焼結  (WC02030X)

タイトルに関連する用語 (7件)： VC ,  ドープ ,  WC-Co ,  超硬合金 ,  粒成長 ,  微細構造 ,  研究