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J-GLOBAL ID:201702267657997594   整理番号:17A0914352

高温度での固体イメージャの暗電流【Powered by NICT】

Dark current of the solid-state imagers at high temperature
著者 (4件):
資料名:
巻: 2017  号: EIConRus  ページ: 635-638  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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面積電荷結合素子(CCD)の暗電流と60~150°Cの高温度でのCMOSイメージセンサの理論的解析を行った。,蓄積時間の減少はフォトダイオードの暗電流を減少させることである。移動レジスタ暗電流であるCCDエリアにおける支配的な成分との走査一時的なパラメータによって定義した。グローバルシャッターCMOSイメージセンサでは暗電流の高レベルは,ピクセル内の記憶の要素によって引き起こされる。これは要素の走査と座標の一時的なパラメータによって定義される成分。ローリングシャッターCMOSイメージセンサは高温テレビジョンカメラの設計の場合に最適選択である。実験的研究を行った。理論データを確認した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
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撮像・録画装置 
タイトルに関連する用語 (4件):
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