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J-GLOBAL ID:201702267667077550   整理番号:17A1171030

Bi As_2S_3quasibinarカルコゲン化物の誘電特性と構造特性【Powered by NICT】

Dielectric and structural characteristics of the Bi-As2S3 quasibinar chalcogenides
著者 (6件):
資料名:
巻: 457  ページ: 152-156  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0642A  ISSN: 0022-3093  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Bi_5(As_2S_3)95とBi_7(As_2S_3)93カルコゲン化物の誘電率εの実数部と虚数部の測定の結果は,通常の分散挙動を示した。一方,全周波数測定範囲(100Hz 10MHz)で得られ,一般的にカルコゲン化物ガラスを特性化するものと比較したこれら二つのパラメータの有意に高い値を示した。Bi_7(As_2S_3)93試料の誘電関数パラメータの非常に高い値は異なる電気伝導率を持つ相間の界面での移動度が減少することによって電荷キャリア蓄積によって説明された。Raman分光法の結果は,試料構造の複雑さを示した。,Ramanスペクトルにおいて観測された狭いピークのかなりの数は,いくつかの分子種またはクラスタの存在すなわち相分離の発生が証明された。2段階プロセスとして示差走査熱量測定(DSC)曲線で観察されたより低いビスマス含有量の試料の結晶化は,より高い温度でεの実数部の顕著な増加は,二タイプの分子双極子の分子相分離への存在に起因すると思われる理由である。それらの同定は,試料のX線回折解析,第一結晶化過程の開始温度でアニールした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (3件):
分類
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その他の非晶質の構造  ,  ガラスの性質・分析・試験  ,  高分子固体の物理的性質 
タイトルに関連する用語 (4件):
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