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J-GLOBAL ID：201702267731210701   整理番号：17A0442129

高速重イオンを用いたナノ多孔性グラフェンの作成【Powered by NICT】

Creating nanoporous graphene with swift heavy ions

著者 (17件)： Vazquez H. (Department of Physics, University of Helsinki, P.O. Box 43, 00014, Helsinki, Finland) ,  Åhlgren E.H. (Department of Physics, University of Helsinki, P.O. Box 43, 00014, Helsinki, Finland) ,  Åhlgren E.H. (School of Chemistry, University of Nottingham, University Park, Nottingham, NG7 2RD, United Kingdom) ,  Ochedowski O. (Fakultaet fuer Physik and CENIDE, Universitaet Duisburg-Essen, 47048, Duisburg, Germany) ,  Leino A.A. (Department of Physics, University of Helsinki, P.O. Box 43, 00014, Helsinki, Finland) ,  Mirzayev R. (Fakultaet fuer Physik, Universitaet Wien, Boltzmanngasse 5, 1090, Vienna, Austria) ,  Kozubek R. (Fakultaet fuer Physik and CENIDE, Universitaet Duisburg-Essen, 47048, Duisburg, Germany) ,  Lebius H. (CIMAP, (CEA-CNRS-ENSICAEN-UCN), Blvd Henri Becquerel, 14070, Caen, France) ,  Karlusic M. (Ruder Boskovic Institute, Bijenicka Cesta 54, 10000, Zagreb, Croatia) ,  Jaksic M. (Ruder Boskovic Institute, Bijenicka Cesta 54, 10000, Zagreb, Croatia) ,  Krasheninnikov A.V. (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, 01328, Dresden, Germany) ,  Krasheninnikov A.V. (Department of Applied Physics, Aalto University, P.O. Box 1100, 00076, Helsinki, Finland) ,  Krasheninnikov A.V. (National University of Science and Technology MISiS, 4 Leninskiy Prospekt, Moscow, 119049, Russian Federation) ,  Kotakoski J. (Fakultaet fuer Physik, Universitaet Wien, Boltzmanngasse 5, 1090, Vienna, Austria) ,  Schleberger M. (Fakultaet fuer Physik and CENIDE, Universitaet Duisburg-Essen, 47048, Duisburg, Germany) ,  Nordlund K. (Department of Physics, University of Helsinki, P.O. Box 43, 00014, Helsinki, Finland) ,  Djurabekova F. (Department of Physics, University of Helsinki, P.O. Box 43, 00014, Helsinki, Finland)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 114  ページ： 511-518  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Raman分光法を用いて懸濁単層グラフェン中の高速重イオン誘起欠陥生成とイオンおよび電子サブシステムを結合した二温度分子動力学モデルを調べた。イオンの電子阻止能の増加は細孔型欠陥のサイズの増加をもたらす,1.22 1.48keV/層での欠陥形成しきい値を持つことを示した。も異なる化学ポテンシャルを持つグラフェンの比電子熱容量の計算を報告し,高い電子温度でグラフェンの電子熱伝導率を議論し,1Wm~ 1K~ 1の範囲の値を示唆した。これらの結果は,swift重イオンがグラフェン中のナノ細孔を作ることができ,それらのサイズは適切な阻止能を選択することにより直径1と4nmの間で調整できることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 化学ポテンシャル ,  *重イオン ,  阻止能 ,  *グラフェン ,  電子比熱 ,  *イオン ,  細孔 ,  電子温度 ,  Raman分光法 ,  熱伝導率
準シソーラス用語： ナノ細孔 ,  欠陥形成 ,  単層グラフェン ,  *ナノポーラス ,  *高速重イオン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高速重イオン ,  ナノ多孔性 ,  グラフェン