文献
J-GLOBAL ID:201702267733069166   整理番号:17A0274501

超薄結晶シリコン太陽電池における光管理応用のための周期的直立ナノピラミッド【Powered by NICT】

Periodic Upright Nanopyramids for Light Management Applications in Ultrathin Crystalline Silicon Solar Cells
著者 (8件):
資料名:
巻:号:ページ: 493-501  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2305A  ISSN: 2156-3381  CODEN: IJPEG8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
低材料コストの主な利点に触発されて,結晶シリコン太陽電池の厚さは連続的に減少した。実験室および工業的研究は,僅か数マイクロメートルの厚さに対する野心的な努力と50μm以下の超薄結晶シリコン太陽電池を調べた。超薄結晶シリコン太陽電池は,光吸収を高めるために適合小規模表面組織が必要である。この目的のために,新しいサブミクロン周期的ナノ構造周期直立ナノピラミッド(PuNPs)をアルカリ性溶液中でのシリコンのレーザ干渉リソグラフィーと異方性エッチングの統合プロセスにより作製した。シミュレーションと測定により,PuNPsは従来のミクロンスケールピラミッドテクスチャよりも効果的に前面反射率を減少させることができ,以前に周期的反転ナノピラミッド(PiNPs)を調べたことを実証した。窒化けい素反射防止膜を用いて,PuNPsは8°の入射,ブラックシリコンに匹敵するの角度で1%以下に前面反射率を減少させることを予測した。PuNPsの優れた反射防止特性を40μmシリコン吸収体層のための40.8mA~2の吸収光電流密度,逆ピラミッドよりも高いPiNPs,0.8mA~2 0.7mA~2高く,直立ピラミッドよりも1mA~2高いに寄与している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る