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J-GLOBAL ID:201702267745382714   整理番号:17A0499511

ハロゲノベンゼンの電子ゲノム開錠

Unlocking the electronic genome of halogenobenzenes
著者 (5件):
資料名:
巻: 19  号:ページ: 4093-4103  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0271C  ISSN: 1463-9076  CODEN: PPCPFQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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新しい有機材料のオプトエレクトロニクス素子への利用の開発の加速は,官能化が共役分子の電子特性におよぼす基本的役割の理解の必要性を作り出した。本報は密度汎関数理論(DFT)を用いてハロゲノベンゼンのHOMO-LUMOギャップが置換基サイズ,位置,電気陰性度,イオン化ポテンシャル,分極率の関数としてどのように影響されるかを検討した。あわせて詳細な分子軌道解析を示した。分子の静的分極率および結合ハロゲンのイオン化ポテンシャルがハロゲノベンゼンにおけるHOMO-LUMOギャップを支配する主な物理的ディスクリプタであることを示した。これらの物質のHOMO-LUMOギャップを支配する第二のディスクリプタはハロゲン置換ベンゼン環の芳香族性(芳香族性の調和振動数指数[HOMA]による観測)およびフロンティア分子軌道におけるハロゲン原子軌道の規格化ポピュレーション(%XHOMOまたは%XLUMO)であった。分子分極率および芳香族性,ならびに%XHOMOおよび%XLUMOはハロゲンの電気陰性度およびサイズならびに数および環置換位置の関数であることを示した。最終的に,最も分極性で,最も芳香族性が小さく,および/または最小の%XLUMO(または最大の%XHOMO)値をもつハロゲノベンゼンが,最小のHOMO-LUMOギャップをもつことを実証した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (2件):
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分子の電子構造  ,  芳香族単環ハロゲン化合物 
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