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J-GLOBAL ID：201702267803303868   整理番号：17A1606753

噴霧熱分解技術によるSnS₂薄膜の構造,モフォロジー及び光学特性

Structural, morphological and optical properties of SnS₂ thin films by nebulized spray pyrolysis technique

著者 (5件)： KUMAR K. Deva Arun (Arul Anandar Coll., Madurai, IND) ,  VALANARASU S. (Arul Anandar Coll., Madurai, IND) ,  TAMILNAYAGAM V. (A.P.A Coll. of Arts and Culture, Tamilnadu, IND) ,  TAMILNAYAGAM V. (V.H.N.S.N. Coll., Tamilnadu, IND) ,  AMALRAJ L. (V.H.N.S.N. Coll., Tamilnadu, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 19  ページ： 14209-14216  発行年： 2017年10月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々のモル濃度(0.3,0.4及び0.5M)の噴霧熱分解技術(NSP)によって,ナノ結晶二硫化スズ(SnS₂)薄膜を調製した。この実験では,X線回折(XRD)研究によって,六方晶構造を持つ純粋なSnS₂形成が同定されることが分る。光学バンドギャップ値と遷移特性は,2.65-2.72eVの報告された値の範囲と良く一致する。堆積膜のモフォロジーは平滑であり,より粗い表面を持つ針形状粒子は不連続性を持つ。化学成分及びその組成をエネルギー分散X線分光分析によって評価した。調製したナノ結晶SnS₂薄膜の特性に関する種々の結果から,この膜は,太陽電池及び光検出デバイスの良好な候補であると結論づける。

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *構造特性 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  *光学的性質 ,  噴霧法 ,  熱分解 ,  スズ化合物 ,  硫化物 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  光吸収 ,  光透過 ,  FTIR分光法 ,  六方晶系 ,  光学ギャップ
準シソーラス用語： 光学特性 ,  表面モルフォロジー ,  噴霧熱分解 ,  硫化スズ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 噴霧熱分解 ,  薄膜 ,  モフォロジー ,  光学特性