文献

J-GLOBAL ID：201702267815619639   整理番号：17A1121767

イオン導電性LaF_3 SrF_2多層膜中の埋もれた界面効果【Powered by NICT】

Buried Interfaces Effects in Ionic Conductive LaF₃-SrF₂ Multilayers

著者 (16件)： Koshmak Konstantin (IOM-CNR, s.s. 14, Km. 163.5 in AREA Science Park, 34149, Basovizza, Trieste, Italy) ,  Koshmak Konstantin (Solid State Physics Division, Ioffe Physical-Technical Institute of Russian Academy of Sciences, 26 Polytechnicheskaya str., 194021, St. Petersburg, Russia) ,  Banshchikov Alexander (Solid State Physics Division, Ioffe Physical-Technical Institute of Russian Academy of Sciences, 26 Polytechnicheskaya str., 194021, St. Petersburg, Russia) ,  Ciancio Regina (IOM-CNR, s.s. 14, Km. 163.5 in AREA Science Park, 34149, Basovizza, Trieste, Italy) ,  Orgiani Pasquale (CNR-SPIN UOS Salerno, Via Giovanni Paolo II 132, 84084, Fisciano, Italy) ,  Borgatti Francesco (ISMN-CNR, Via Gobetti 101, 40129, Bologna, Italy) ,  Panaccione Giancarlo (IOM-CNR, s.s. 14, Km. 163.5 in AREA Science Park, 34149, Basovizza, Trieste, Italy) ,  Giglia Angelo (IOM-CNR, s.s. 14, Km. 163.5 in AREA Science Park, 34149, Basovizza, Trieste, Italy) ,  Ceolin Denis (Synchrotron SOLEIL, L’Orme des Merisiers, Saint-Aubin, BP 48, F-91192, Gif-sur-Yvette, Cedex, France) ,  Rueff Jean-Pascal (Synchrotron SOLEIL, L’Orme des Merisiers, Saint-Aubin, BP 48, F-91192, Gif-sur-Yvette, Cedex, France) ,  Rueff Jean-Pascal (Sorbonne Universites, UPMC Universite Paris 06, CNRS, UMR 7614, Paris, France) ,  Rueff Jean-Pascal (Laboratoire de Chimie Physique-Matiere et Rayonnement, F-75005, Paris, France) ,  Sokolov Nikolai S. (Solid State Physics Division, Ioffe Physical-Technical Institute of Russian Academy of Sciences, 26 Polytechnicheskaya str., 194021, St. Petersburg, Russia) ,  Pasquali Luca (IOM-CNR, s.s. 14, Km. 163.5 in AREA Science Park, 34149, Basovizza, Trieste, Italy) ,  Pasquali Luca (Dipartimento di Ingegneria E. Ferrari, Universita di Modena e Reggio Emilia, Via Vivarelli 10, 41125, Modena, Italy) ,  Pasquali Luca (Department of Physics, University of Johannesburg, PO Box 524, Auckland Park, 2006, South Africa)
資料名： Advanced Materials Interfaces  (Advanced Materials Interfaces)
巻： 4  号： 5  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2484A  ISSN： 2196-7350  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多相/多層固体電解質では,組成,反応性および材料と相間の界面の構造は高速イオン伝導のための基本的な役割を果たしている。,典型的な高速イオン伝導LaF_3/SrF_2エピタキシャル多層膜中に埋め込まれた界面の特性を調べた。軟と高エネルギーを用いた光電子分光法は,最外部表面に対して埋もれた界面の組成と反応性の分離に適用光子である。X線反射率,高エネルギー電子回折,X線回折,原子間力顕微鏡と透過型電子顕微鏡を使用して,形態,層結晶性,エピタクシー関係,および埋没した界面構造を研究した。交互層は良好な結晶度と高い格子整合を示し,ほぼ理想的な鋭い界面の形成が,埋め込まれた界面は,裸の材料に関してF空格子点形成のエネルギー障壁のかなりの減少を示すことが分かった。フッ素空格子点の六倍高い密度は,裸の材料に関して多層膜における埋込み界面で観察された。これは空間電荷領域の形成に相関し,イオン伝導率に好都合である。界面でのF欠乏Laフッ化物領域の形成は焼なましにより促進された。これは文献で報告されているアニールしたヘテロ構造中のイオン伝導率の増加に関連していた。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線回折 ,  *イオン伝導 ,  *ランタン ,  結晶度 ,  *多層 ,  原子間力顕微鏡 ,  エピタクシー ,  *多層膜 ,  フッ化物 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *界面 ,  反応性 ,  形態
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  イオン伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 埋込み界面 ,  硬X線光電子放出 ,  イオン性ふっ化物 ,  ナノイオニクス

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： イオン導電性 ,  多層膜 ,  界面