文献

J-GLOBAL ID：201702267845979524   整理番号：17A1250309

固有SiO_xベース抵抗スイッチングメモリにおけるMemcomputing(メムリスタ+計算):論理応用のための算術演算【Powered by NICT】

Memcomputing (Memristor + Computing) in Intrinsic SiO_x-Based Resistive Switching Memory: Arithmetic Operations for Logic Applications

著者 (8件)： Chang Yao-Feng (Department of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, TX, USA) ,  Zhou Fei (Department of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, TX, USA) ,  Fowler Burt W. (Department of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, TX, USA) ,  Chen Ying-Chen (Department of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, TX, USA) ,  Hsieh Cheng-Chih (Department of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, TX, USA) ,  Guckert Lauren (Department of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, TX, USA) ,  Swartzlander Earl E. (Department of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, TX, USA) ,  Lee Jack C. (Department of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, TX, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 7  ページ： 2977-2983  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,包含(IMP)操作は二SiO_xベースメムリスタとCMOSトランジスタを用いた回路で実証した。特に,二一ダイオードと1レジスタ(1D1R)メモリ素子とトランジスタを用いた回路は,IMP演算を行うように設計されている。選択トランジスタを用いた4×4クロスバ1D1Rメモリスタアレイの回路を提案し,43段階で1ビット全加算器の機能性を実現した。CMOS論理回路と比較して,メムリスタ可能論理回路の利点と欠点を検討した。この結果は,メモリスタ可能論理回路は低電力高密度用途だけでなく,大規模CMOS製造技術と両立するプログラマブルmemcomputingチップを実現するための簡単でロバストなアプローチに最も適していることを示唆した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 論理回路 ,  ダイオード ,  生産技術 ,  レジスタ ,  ロバスト性 ,  記憶素子 ,  *演算 ,  CMOS ,  トランジスタ
準シソーラス用語： 高密度 ,  低電力化 ,  CMOS論理回路 ,  全加算器 ,  *メモリスタ ,  *抵抗スイッチングメモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 固有 ,  抵抗スイッチングメモリ ,  メムリスタ ,  計算 ,  論理 ,  応用 ,  算術演算