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J-GLOBAL ID：201702267904177519   整理番号：17A1057961

Si(110)基板上の大きなアスペクト比AuAg二元金属ナノワイヤの成長【Powered by NICT】

Growth of large aspect ratio AuAg bimetallic nanowires on Si(110) substrate

著者 (11件)： Bhukta Anjan (Institute of Physics, Sachivalaya Marg, Bhubaneswar, 751005, India) ,  Bhukta Anjan (Homi Bhabha National Institute, Training School Complex, Anushakti Nagar, Mumbai, 400085, India) ,  Bhukta Anjan (School of Basic Sciences, Indian Institute of Technology Bhubaneswar, Bhubaneswar, 751013, India) ,  Guha Puspendu (Institute of Physics, Sachivalaya Marg, Bhubaneswar, 751005, India) ,  Guha Puspendu (Homi Bhabha National Institute, Training School Complex, Anushakti Nagar, Mumbai, 400085, India) ,  Satpati Biswarup (Homi Bhabha National Institute, Training School Complex, Anushakti Nagar, Mumbai, 400085, India) ,  Satpati Biswarup (Saha Institute of Nuclear Physics, 1/AF Bidhan Nagar, Salt lake, Kolkata, 700064, India) ,  Maiti Paramita (Institute of Physics, Sachivalaya Marg, Bhubaneswar, 751005, India) ,  Maiti Paramita (Homi Bhabha National Institute, Training School Complex, Anushakti Nagar, Mumbai, 400085, India) ,  Satyam Parlapalli V. (Institute of Physics, Sachivalaya Marg, Bhubaneswar, 751005, India) ,  Satyam Parlapalli V. (Homi Bhabha National Institute, Training School Complex, Anushakti Nagar, Mumbai, 400085, India)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 407  ページ： 337-344  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大アスペクト比二金属ナノワイヤ構造はより高い触媒活性と表面Raman増強分光法(SERS)基板のような分野での応用の可能性を含んでいる。高度に異方的な超清浄Si(110)表面を用いて,この様な表面上でサブ単分子層(ML)のAgの初期成長を用いて,高アスペクト比AuAgバイメタルナノ構造を形成することができる。は0.5MLのAgの300°Cの成長温度で分子ビームエピタクシー(MBE)を用いて,3.0MLのAuを用いて超清浄Si(110)表面上の大きなアスペクト比(>7.2±0.8)AuAgナノワイヤの形成について報告した。Agの蒸着前のない同様の成長条件下で,3.0MLのAu結果の堆積で小さいアスペクト比(2.1±0.1)単一金属Auナノ構造。ナノ構造のアスペクト比の増大は一次元Ag層(Au成長前)と高温でのAu-Agバイメタル相互混合の形成に起因する。3.0MLのAu堆積を考慮して,基板温度≒270 330°Cの領域は,高アスペクト比(>25.0)AuAgナノワイヤの成長に最適であることが分かった。吸着原子の低移動度のために低い温度とAgの相互拡散のために,より高い温度では,この領域の外部が成長をまれに見られる極端な高アスペクト比AuAgナノワイヤを。基板温度300°Cでの成長では,AuAgナノ構造の平均アスペクト比は,Si<11 0>に沿った吸着原子(Au, Ag)の選択的集積のために,3.0MLまでAu厚さに従って徐々に増加する,その後Si<001>に沿って適切な蓄積のための減少させた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 移動度 ,  蒸着 ,  MBE成長 ,  単分子層 ,  *アスペクト比 ,  基板温度 ,  *金 ,  *銀 ,  走査電子顕微鏡 ,  一次元 ,  *ナノワイヤ ,  高温 ,  触媒活性
準シソーラス用語： 吸着原子 ,  高アスペクト比 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AuAg二元金属ナノ構造 ,  分子ビームエピタクシー(MBE) ,  走査型電子顕微鏡(SEM) ,  走査型透過型電子顕微鏡観察 ,  Si(110)

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  アスペクト比 ,  金属ナノワイヤ ,  成長