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J-GLOBAL ID：201702267921543484   整理番号：17A0521897

ウルツ鉱型Al_xGa_1-xPナノ細線シェルの成長とラマン分光による評価

Growth of wurtzite Al_xGa_1-x P nanowire shells and characterization by Raman spectroscopy

著者 (5件)： BERG Alexander (Lund Univ., Lund, SWE) ,  HEURLIN Magnus (Lund Univ., Lund, SWE) ,  TSOPANIDIS Stylianos (Lund Univ., Lund, SWE) ,  PISTOL Mats-Erik (Lund Univ., Lund, SWE) ,  BORGSTROEM Magnus T (Lund Univ., Lund, SWE)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 3  ページ： 035706,1-7  発行年： 2017年01月20日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-有機気相エピタキシー(MOVPE)法を用いて,AlGaPナノ細線(NW)シェルをウルツ鉱(WZ)型GaP NWコア上に成長させるための成長パラメータを示した。走査透過電子顕微鏡(STEM)のエネルギー分散X線分光(EDX)を用いてAl組成を決定し,ラマン分光を用いてWZ GaP/AlGaP/GaPコア-シェルNWについて測定した。その後,WZ試料とせん亜鉛鉱(ZB)型AlGaPのフォノンスペクトルを,ZB AlGaP結晶の格子振動に関する文献からの理論モデルを用いて比較した。結果は,WZ AlGaPのフォノンエネルギーは,最大0.28のAl濃度をもつZB AlGaPのものよりもわずかに小さかった。

シソーラス用語： *MOCVD ,  ウルツ鉱型結晶 ,  *ナノワイヤ ,  *リン化物 ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *リン化ガリウム ,  *コアシェル構造 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  *Ramanスペクトル ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  スペクトル
準シソーラス用語： MOVPE ,  走査透過電子顕微鏡 ,  フォノンスペクトル

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： ウルツ鉱 ,  ナノ細線 ,  シェル ,  成長 ,  ラマン分光 ,  評価