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J-GLOBAL ID:201702267949996676   整理番号:17A1563567

セラミック四元ターゲットを用いた直流マグネトロンスパッタCu_2ZnSnS_4薄膜【Powered by NICT】

Direct current magnetron sputtered Cu2ZnSnS4 thin films using a ceramic quaternary target
著者 (8件):
資料名:
巻: 727  ページ: 1115-1125  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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直流(DC)マグネトロンスパッタリングは,セラミック四元CZTSターゲットからのソーダ石灰ガラス基板上にCu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜を調製した。組成,結晶構造,表面形態と膜の光学的性質に及ぼす直流電力,基板温度および硫化温度の影響を調べた。膜は非晶質結晶CuとSnリッチケステライトCZTS膜は中央値でのスパッタリングから直接得られ,以下であった。膜組成は,200°Cまでの基板温度で相対的に不変であったが,温度が更に増加するとSn含有量の増加とCu含有量の減少が観察された。スパッタリング収率,昇華による原子損失だけでなく,操作条件の影響を用いて,そのような組成変化を説明した。二次相,より均一ではない形態増加と同様にバンドギャップは高いSn含有量をもつこれらのスパッタされた膜で同時に観察された。硫化はスパッタしたCZTS膜の結晶性と光学的性質をさらに改善するために行った。550°Cの最適硫化温度が観察され,膜は純粋なCZTS相,最大吸収係数(>10~4 cm~ 1)と理論的バンドギャップ(1.55 eV)を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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酸化物薄膜  ,  太陽電池  ,  その他の無機化合物の薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
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