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J-GLOBAL ID：201702267962241027   整理番号：17A1439946

半選択問題の克服共通誘電体層を用いた有機強誘電体1T1Tランダムアクセスメモリセル【Powered by NICT】

Organic Ferroelectric-Based 1T1T Random Access Memory Cell Employing a Common Dielectric Layer Overcoming the Half-Selection Problem

著者 (13件)： Zhao Qiang (Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, Key Laboratory of Organic Solids, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Zhao Qiang (School of Chemistry and Chemical Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Wang Hanlin (Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, Key Laboratory of Organic Solids, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Wang Hanlin (School of Chemistry and Chemical Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Ni Zhenjie (Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, Key Laboratory of Organic Solids, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Liu Jie (Tianjin Key Laboratory of Molecular Optoelectronic Sciences, Department of Chemistry, School of Science, Tianjin University Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering, Tianjin, 300072, China) ,  Zhen Yonggang (Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, Key Laboratory of Organic Solids, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Zhang Xiaotao (Tianjin Key Laboratory of Molecular Optoelectronic Sciences, Department of Chemistry, School of Science, Tianjin University Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering, Tianjin, 300072, China) ,  Jiang Lang (Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, Key Laboratory of Organic Solids, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Li Rongjin (Tianjin Key Laboratory of Molecular Optoelectronic Sciences, Department of Chemistry, School of Science, Tianjin University Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering, Tianjin, 300072, China) ,  Dong Huanli (Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, Key Laboratory of Organic Solids, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Hu Wenping (Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, Key Laboratory of Organic Solids, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Hu Wenping (Tianjin Key Laboratory of Molecular Optoelectronic Sciences, Department of Chemistry, School of Science, Tianjin University Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering, Tianjin, 300072, China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 34  ページ： ROMBUNNO.201701907  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリ(ふっ化ビニリデン/トリフルオロエチレン)(P(VDF TrFE))誘電体をベースにした有機エレクトロニクスは,フレキシブル回路内の大きな課題に直面している。集積回路の一つの不可欠な部分として,低コストで作製が容易不揮発性メモリデバイスが強く要望されている。半選択問題を克服するために選択トランジスタと1つの強誘電体メモリトランジスタからなる新しい強誘電体ランダムアクセスメモリセル(1T1T FeRAMセル)したブレークスルー。多重誘電体を用いた複雑な製造とは異なり,このシステムは一つの共通誘電体を用いた1T1T FeRAMセル作製を単純化した。この目標を達成するために,半導体/絶縁体(S/I)界面変調のための戦略を提案し,駆動または処理目的のための高性能ヒステリシス選択トランジスタに適用した。結果として,N,N’ 1H,1Hペルフルオロブチルジシアノペリレンカルボキシジイミド(PDI FCN_2)2,6 ジフェニルアントラセン(DPA)と0.124cm~2V~ 1s~ 1(平均)の電子移動度のための3.81cm~2V~ 1s~ 1(平均)の高い正孔移動度は,選択トランジスタが得られた。本研究では,有機強誘電体ピクセルメモリモジュール製作のためのこの技術の可能性を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  *強誘電体 ,  絶縁体 ,  不揮発性メモリ ,  フレキシブル基板 ,  界面 ,  トランジスタ ,  *誘電体 ,  集積回路 ,  ヒステリシス ,  FeRAM
準シソーラス用語： 正孔移動度 ,  電子移動度 ,  有機エレクトロニクス ,  *有機強誘電体 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ferroelectrics ,  記憶素子 ,  有機エレクトロニクス ,  有機電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 選択問題 ,  誘電体 ,  有機強誘電体 ,  ランダムアクセス ,  メモリセル