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J-GLOBAL ID：201702267989049883   整理番号：17A1112955

光電気化学応用のための新しい量子ドット共増感PbS-Hg/CdS/Cu:ZnO薄膜の高増強光電流

Highly enhanced photocurrent of novel quantum-dot-co-sensitized PbS-Hg/CdS/Cu:ZnO thin films for photoelectrochemical applications

著者 (3件)： GOHEL Jignasa V. (Sardar Vallabhbhai National Inst. of Technol., Gujarat, IND) ,  JANA A. K. (Sardar Vallabhbhai National Inst. of Technol., Gujarat, IND) ,  SINGH Mohit (Sardar Vallabhbhai National Inst. of Technol., Gujarat, IND)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 123  号： 8  ページ： 506,1-12  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光電気化学電池(太陽電池)応用のための新しい量子ドット(QD)共増感PbS-Hg/CdS/Cu:ZnO薄膜を安価なゾルゲルスピン被覆法により作製し,その特性を調べた。X線回折から膜が良い結晶性を持つことが分かった。紫外可視吸収スペクトルから,バンドギャップは,純ZnOに対する3.1eVからCu:ZnOの2.9eV,Ag-Cu:ZnOの2.6eVへ減少し,更に,CdS-QD増感により2.1eV,PbS-Hg-QD増感により1.97eVへと著しく減少することが示された。また,最大光電流密度は,純ZnOの2.29mA/cm²に対して,PbS-Hg/CdS共増感/Cu:ZnO薄膜では17.2mA/cm²へと著しく増大することが示された。これはこの薄膜が光電気化学応用に極めて有望なことを示す。

シソーラス用語： *光電気化学 ,  *量子ドット ,  *硫化鉛 ,  *水銀 ,  *硫化カドミウム ,  *増感 ,  *銅 ,  *ドーピング ,  *酸化亜鉛 ,  *薄膜 ,  *光電流 ,  *改良 ,  太陽電池 ,  ゾル-ゲル法 ,  スピンコーティング ,  X線回折 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  バンドギャップ

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y)

タイトルに関連する用語 (11件)： 光電気化学 ,  応用 ,  量子ドット ,  増感 ,  PbS ,  Hg ,  CdS ,  Cu ,  ZnO薄膜 ,  増強 ,  光電流