文献

J-GLOBAL ID：201702268033252371   整理番号：17A0511140

半導体パワーデバイスの研究開発と利用の動向 SiCパワーデバイスの研究開発の動向~デバイスの特性と課題,および最近の開発動向~

著者 (1件)： 浅原浩和 (ローム)
資料名： 電気評論  (Electrical Review)
巻： 102  号： 4  ページ： 19-23  発行年： 2017年04月10日 
JST資料番号： G0720A  ISSN： 0285-5860  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiCパワーデバイスは,従来のSiパワーデバイスに比べて,低オン抵抗,高耐圧,高速スイッチングが期待され,さらに,原理的には高温動作が可能と考えられる。また,スイッチング損失が小さい,寄生容量が小さいことなどによって,Siに比べて高周波動作ができ,周辺機器の小型化が可能である。SiCパワーデバイスの応用分野は広く,太陽光・風力発電などのDC/ACコンバータ,ハイブリッドカーや電気自動車などの高効率インバータ,さらに産業機器やエアコン向けインバータなど,これら用途の省電力化のキーデバイスとしてその重要性がますます高まっており,世界的に開発が進められている。

シソーラス用語： *半導体 ,  *半導体素子 ,  *研究開発 ,  *利用 ,  *炭化ケイ素 ,  *特性 ,  オン抵抗 ,  絶縁耐力 ,  高速度 ,  スイッチング ,  スイッチング損失 ,  漂遊容量 ,  ケイ素 ,  電力変換器 ,  インバータ ,  高温
準シソーラス用語： *パワーデバイス ,  *デバイス特性 ,  高耐圧 ,  DC/ACコンバータ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： パワーデバイス ,  研究 ,  開発 ,  動向 ,  SiCパワーデバイス ,  開発動向