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J-GLOBAL ID：201702268040119127   整理番号：17A1214420

BサイトMoドープPr_0 20Sr_0 80Mn_1Mo_O_3+δにおける電荷秩序化【Powered by NICT】

Charge ordering in B-site Mo doped Pr_0.20Sr_0.80Mn_1- Mo O_3-δ

著者 (4件)： Sharma Shivani (UGC-DAE Consortium for Scientific Research, Indore, MP 452001, India) ,  Shahee Aga (Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai, MH 400076, India) ,  Yadav Poonam (UGC-DAE Consortium for Scientific Research, Indore, MP 452001, India) ,  Lalla N.P. (UGC-DAE Consortium for Scientific Research, Indore, MP 452001, India)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 722  ページ： 878-887  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 温度Pr_0 20Sr_0 0.80Mn_1Mo_O_3 δ(x=0~0.0,0.02,0.04および0.10)の構造,輸送及び磁気特性依存性は低温X線と電子回折,抵抗率とdc磁化測定を用いて研究した。非ドープ(x=0)試料,室温で立方晶であると異なり,Moをドープした試料は立方晶(P m 3 m)と正方晶(I 4/m c m ; c/2>a)相の相共存を示した。Moドーピングは300 330の温度範囲で正方晶(I 4/m c m)相を安定化する。xが0.10の試料の正方晶性はしかしながら異なる種類,正方晶からの付加的な転移を200K以下で斜方晶(F m m m)相へのさらなるのであった。,電子回折と高分解能微細構造イメージングを用いた透過電子顕微鏡観察によって,[110]型ペロブスカイト方向に沿って非整数変調を0.04及び0.10試料の電荷秩序(CO)の発生を明らかにした。dc磁化および電気抵抗率データは観察された構造とそれに関連したCO反強磁性相転移とよく相関する。歪んだペロブスカイト相の増加した安定性とCOの発生はMo~6+置換の関数としてのMn~3+/Mn~4+比の増加と相関することが分かった。歪んだペロブスカイト相の安定化に効果的なBサイトカチオンサイズの役割の可能性は耐性因子の項で議論されてきた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  低温 ,  微細構造 ,  *ドーピング ,  磁化 ,  画像処理 ,  *モリブデン ,  反強磁性 ,  斜方晶系 ,  電子回折 ,  透過型電子顕微鏡 ,  正方晶系 ,  温度依存性
準シソーラス用語： ペロブスカイト型構造 ,  *電荷整列 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 広帯域亜マンガン酸塩 ,  歪んだペロブスカイト ,  電荷秩序化 ,  電荷密度波 ,  構造相転移

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (3件)： Mo ,  ドープ ,  電荷秩序化