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J-GLOBAL ID：201702268076702205   整理番号：17A1356965

インジウムおよびガリウムを同時ドープしたZnO膜のゾル-ゲル法によるの形態学的研究【Powered by NICT】

Morphological investigation of indium and gallium co-doped ZnO films, derived by sol-gel method

著者 (4件)： Ivanova Tatyana (Central Laboratory of Solar Energy and New Energy Sources, Bulgarian Academy of Sciences, Tzarigradsko chaussee 72, Sofia, Bulgaria) ,  Harizanova Antoaneta (Central Laboratory of Solar Energy and New Energy Sources, Bulgarian Academy of Sciences, Tzarigradsko chaussee 72, Sofia, Bulgaria) ,  Koutzarova Tatyana (Institute of Electronics, Bulgarian Academy of Sciences, Tzarigradsko chaussee 72 Sofia, Bulgaria) ,  Vertruyen Benedicte (LCIS/SUPRATECS, Institute of Chemistry B6, University of Liege, Sart-Tilman, B-4000 Liege, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISSE  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga及びIn共ドープZnO膜をゾル-ゲル法により得ることに成功した。XRD分析は,ZnではGa酸化物膜は,未ドープのZnOとZnO:In膜に比べて低い結晶性を有することを示した。対応するXRD線は広く,強度は低かった。ZnではGa酸化物とZnOのFTIR詳細な研究は,Ga及びIn共ドーピングはGaとIn-O結合の痕跡もなく,形状と吸収バンドの強度に影響することを示した。光学的研究は,ZnではGa酸化物膜は,ZnOとZnO:In膜に比べて透明性を改善したことを示した。光学バンドギャップを推定し,議論した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  X線回折 ,  酸化物 ,  *ゾル-ゲル法 ,  光学ギャップ ,  *亜鉛 ,  *インジウム ,  *モルフォロジー ,  酸化膜 ,  *ドーピング ,  吸収バンド ,  *ガリウム ,  結晶度
準シソーラス用語： 透明性 ,  共ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： インジウム ,  ガリウム ,  ドープ ,  ZnO ,  ゾル-ゲル法 ,  形態学 ,  研究