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J-GLOBAL ID:201702268096065689   整理番号:17A1670788

二重空孔欠陥二層グラフェンのナトリウム貯蔵性能の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First-Principles Study of Na Storage in Bilayer Graphene with Double Vacancy Defects
著者 (6件):
資料名:
巻: 33  号:ページ: 520-529  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0391A  ISSN: 1000-6818  CODEN: WHXUEU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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密度関数理論(DFT)に基づく分散修正法を用いて、二重空孔欠陥(DV)二層グラフェン(BLG)系におけるNa吸着と埋め込みの形成エネルギー、電荷移動、電極電位と拡散挙動を研究した。形成エネルギーの計算により、単一のNa原子がBLG表面に吸着されるか、層間に埋め込まれているかにかかわらず、いずれもDV空格子の中心においてより安定していることが分かった。電荷密度分布とBader電荷計算により、NaとBLGの結合方式はイオン性を示し、NaはDV欠陥BLG層間に埋め込まれ、欠陥濃度の増加はBLGをABスタッキングからAAスタッキングへ変化させる過程を遅らせた。Na欠陥がBLGの表面と層間で安定に貯蔵される容量は262.75mAh・g-1に増加し、NaとCのモル比が2:17になると、ナトリウムの濃度が増加し、NaがBLG表面に吸着され、樹枝状結晶またはクラスタが生成しやすくなる。層間にNa原子が埋め込まれると、表面のNa原子がDV欠陥中心へ拡散するエネルギー障壁が減少し、表面のNa原子が逆方向に沿って拡散障壁が増加し、DV欠陥の存在がBLG表面のNa捕獲能力を向上させた。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (5件):
分類 (3件):
分類
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固体中の拡散一般  ,  その他の金属組織学  ,  吸着の電子論 
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