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J-GLOBAL ID:201702268115658322   整理番号:17A1040910

PZT薄膜の電気的性質に及ぼす低鉛含有シード層の影響

Effect of seed layer with low lead content on electrical properties of PZT thin films
著者 (7件):
資料名:
巻: 32  号:ページ: 1618-1627  発行年: 2017年05月15日 
JST資料番号: D0987B  ISSN: 0884-2914  CODEN: JMREEE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Pb(Zr,Ti)O3(PZT)はFeRAMやMEMSなどに使用される強誘電材料である。本研究では,低Pb含有シード層を用いたPZT膜の化学溶液堆積(CDS)による2段階結晶化法を提示した。本法では,結晶化の第1段階では低Pb(0~5wt%)前駆体から高配向性Pb粒子を堆積して,シード層を形成した。第2段階では,30wt%のPbを含むPb過剰結晶を得た。本稿では,CDS PZT膜の微細組織および電気的性質に及ぼす低Pbシード層の影響について検討した。主膜が形成する前にシード層が結晶化した場合,PZT膜は強い(111)集合組織を示し,(100)配向は完全に抑制された。シード層の鉛含有量および結晶化は粒界伝導に影響を及ぼし,従って,過渡電流の分極依存性に影響を及ぼした。
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酸化物薄膜 
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