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J-GLOBAL ID：201702268181474236   整理番号：17A0987857

高分子電界効果トランジスタの構造組織化に及ぼす電気的性能の依存性【Powered by NICT】

Dependence of electrical performance on structural organization in polymer field effect transistors

著者 (9件)： Bittle Emily G. (Engineering Physics Division, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, Maryland, 20899) ,  Ro Hyun Wook (Materials Science and Engineering Division, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, Maryland, 20899) ,  Snyder Chad R. (Materials Science and Engineering Division, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, Maryland, 20899) ,  Engmann Sebastian (Materials Science and Engineering Division, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, Maryland, 20899) ,  Kline R. Joseph (Materials Science and Engineering Division, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, Maryland, 20899) ,  Zhang Xinran (Institute for Soft Matter Synthesis and Metrology, Department of Physics, Georgetown University, Washington, DC, 20057) ,  Jurchescu Oana D. (Department of Physics, Wake Forest University, Winston-Salem, North Carolina, 27109) ,  DeLongchamp Dean M. (Materials Science and Engineering Division, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, Maryland, 20899) ,  Gundlach David J. (Engineering Physics Division, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, Maryland, 20899)
資料名： Journal of Polymer Science. Part B. Polymer Physics  (Journal of Polymer Science. Part B. Polymer Physics)
巻： 55  号： 14  ページ： 1063-1074  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0346B  ISSN： 0887-6266  CODEN： JPLPAY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機半導体(OSC)は,印刷,フレキシブルエレクトロニクスにおける利用のための強力な挑戦者である。有機電子材料は長年研究されているが,電荷輸送の物理はまだ検討中である。これは合成できることを分子の大きな多様性と装置と処理条件による電気的特性評価における不一致から生じる変動に部分的に起因していた。OSCsにおける分子秩序化は長範囲への電荷輸送特性と注意を変化させることが知られており,短範囲規則化は輸送経路の性質への手掛かりを提供した。ここでは,同一トランジスタアーキテクチャに及ぼす秩序を徐々に増加させるを持った三種一組の試料を得るために調製注意深く秩序化位置規則性ポリ(3-ヘキシルチオフェン-2,5-ジイル)膜を研究した。処理中に形成された微結晶のコヒーレンスと数を調べるために様々な短期および長期技術を用いて特性化した秩序化と,次のこれらの異なる測度間の相関を定量化した。低横方向磁場での線形応答への増大順:接触抵抗の低減,磁場に依存しない移動度へのシフト,およびダイオード(S型)からのシフトとより教科書のような特性に非理想からのシフトを示すことをトランジスタ挙動の三つの変化を観測した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： コヒーレンス ,  *高分子 ,  キャラクタリゼーション ,  接触抵抗 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *トランジスタ ,  移動度 ,  微結晶 ,  有機半導体 ,  磁場 ,  電気的性質
準シソーラス用語： 位置規則性 ,  電荷輸送 ,  有機電子材料 ,  フレキシブルエレクトロニクス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 構造-特性関係 ,  電荷輸送 ,  導電性重合体 ,  示差走査熱量測定(DSC) ,  UV-vis分光法 ,  X線 ,  TEM

分類 (1件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高分子 ,  電界効果トランジスタ ,  組織化 ,  依存性