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J-GLOBAL ID：201702268204253537   整理番号：17A0755426

1.54THzの遮断周波数を有するAlGaN/GaNヘテロ構造に基づく平衡MSM-2DEGバラクタ【Powered by NICT】

Balanced MSM-2DEG Varactors Based on AlGaN/GaN Heterostructure With Cutoff Frequency of 1.54 THz

著者 (4件)： Hwang Ji Hyun (School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju, South Korea) ,  Lee Kye-Jeong (School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju, South Korea) ,  Hong Sung-Min (School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju, South Korea) ,  Jang Jae-Hyung (School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju, South Korea)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 1  ページ： 107-110  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ構造はテラヘルツ(THz)容量性スイッチとしての応用のための金属-半導体-金属(MSM)二次元電子ガス(2DEG)バラクタを作製した。ナノスケールゲートとミクロンスケールゲートからなる非対称MSM構造を採用することにより,MSM-2DEGバラクタのカットオフ周波数が改善され,THz領域まで,直列抵抗を減少させることにより劇的にした。平衡MSM-2DEGバラクタ,ナノスケールゲートは二ミクロンスケールゲートの間に挟まれた静電容量スイッチング比(C_max/C_min)の2.64名のうち,1.54THzの遮断周波数,および4.06THzの性能指数を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： MSM構造 ,  *二次元電子ガス ,  性能指数 ,  スイッチ ,  *遮断周波数 ,  *可変容量ダイオード ,  半導体 ,  静電容量 ,  HEMT ,  非対称性 ,  スイッチング ,  テラヘルツ波
準シソーラス用語： 直列抵抗 ,  *ヘテロ構造 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 遮断周波数 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  平衡 ,  MSM ,  2DEG ,  バラクタ