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J-GLOBAL ID：201702268263323805   整理番号：17A1636015

スイッチング性能と電流保護上のSiC MOSFETのための2ゲートドライバの比較【Powered by NICT】

Comparison of two gate drivers for SiC MOSFETs on switching performance and over current protection

著者 (5件)： Liu Jiye (State Key Lab of Control and Simulation of Power Systems and Generation Equipments, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Wang You (State Key Lab of Control and Simulation of Power Systems and Generation Equipments, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Zheng Zedong (State Key Lab of Control and Simulation of Power Systems and Generation Equipments, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Peng Zhong (State Key Lab of Control and Simulation of Power Systems and Generation Equipments, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Li Yongdong (State Key Lab of Control and Simulation of Power Systems and Generation Equipments, Tsinghua University, Beijing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICEMS  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文の目的は,SiC MOSFETのためのゲートドライバを設計する際に懸念を要約すれば,二例を提供することである。両者はパワーデバイスの電流で検出できた。一つはゲートドライバICを用い,SiC MOSFETの必要性,これは簡単で便利なを満足に適合させた。スイッチング周波数と信頼性の点でより優れた性能を得るため,他の一つはそれぞれゲート信号と2次側の電力を供給するために,磁気変圧器を採用した。ゲート駆動回路はデューティ比に動作し,高速動的デューティ比指令を満たすことができる。二次R-Cネットワークは電流のパワーデバイスのを検出するために設計した。実験的比較は,後者が伝搬遅延と結合容量に優れた性能を示した。最後に短絡実験を行い,両方が実験に耐えることができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *接続品質 ,  *電流 ,  *炭化ケイ素 ,  ネットワーク ,  変圧器 ,  ゲート回路 ,  電力 ,  高速度 ,  信頼性 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： 伝搬遅延 ,  デューティサイクル ,  スイッチング周波数 ,  ドライバIC ,  パワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： スイッチング性能 ,  SiC ,  MOSFET ,  ゲート ,  ドライバ