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J-GLOBAL ID:201702268266323407   整理番号:17A0591706

剥離したWSe2電界効果トランジスタに関するガスセンシング特性

Gas-Sensing Characteristics of Exfoliated WSe2 Field-Effect Transistors
著者 (6件):
資料名:
巻: 17  号:ページ: 3151-3154  発行年: 2017年05月 
JST資料番号: W1351A  ISSN: 1533-4880  CODEN: JNNOAR  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ガスセンサの開発に関連して,本論文では,WSe2電界効果トランジスタを調製し,特性を調べた。このトランジスタでは,バックゲート電極として高度にnドーープしたSiを使用し,剥離したWSe2フレークを,p型チャネルとして作用するガスセンシング層として用いた。センサとしての性能を,NO2,NH3,SO2およびH2Sについて,温度25°Cで測定した。その結果に基づいて,濃度1ppmでのドレイン電流変化は,上記気体について,それぞれ,347,72,16および26%であることを記し,酸化および還元気体に対する機構を説明した。
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分類 (2件):
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トランジスタ  ,  分析機器 
タイトルに関連する用語 (2件):
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