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J-GLOBAL ID：201702268271230239   整理番号：17A1312015

ソーダ石灰ガラス上におけるMg2Si薄膜の調製とその電気的性質【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and Electrical Properties of Mg2Si Films on Soda Lime Glass

著者 (6件)： Fang Di (貴州大学大数据与信息工程学院新型光電子材料与技術研究所,貴陽,550025) ,  Xiao Qingquan (貴州大学大数据与信息工程学院新型光電子材料与技術研究所,貴陽550025;安順学院航空電子電气与信息网絡貴州省高校工程技術研究中心,安順561000) ,  Liao Yangfang (貴州大学大数据与信息工程学院新型光電子材料与技術研究所,貴陽550025;貴州師范大学物理与電子科学学院,貴陽550001) ,  Yuan Zhengbing (貴州大学大数据与信息工程学院新型光電子材料与技術研究所,貴陽,550025) ,  Wang Shanlan (貴州大学大数据与信息工程学院新型光電子材料与技術研究所,貴陽,550025) ,  Wu Hongxian (貴州大学大数据与信息工程学院新型光電子材料与技術研究所,貴陽,550025)
資料名： Cailiao Daobao  (Cailiao Daobao)
巻： 31  号： 4  ページ： 9-13  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2126A  ISSN： 1005-023X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Mg2Si半導体薄膜をマグネトロンスパッタリングとアニーリング技術によって調製して,Mg2Si薄膜の構造と電気的性質に及ぼすMg膜厚の影響を研究した。同じ厚さ(175nm)のP-SiおよびN-Si膜を,ソーダ石灰ガラス上にスパッタし,次に,種々の厚さのMg膜(240nm,256nm,272nm,288nmおよび304nm)上にスパッタした。一連のMg2Si半導体薄膜を,低真空アニーリングにより,4hのアニールにより調製した。X線回折(XRD)、走査電子顕微鏡(SEM)、Hall効果測定器を用いて、Mg2Si薄膜の結晶構造、表面形態、電気的性質について特性化と分析を行った。結果は以下を示した。Mg2Si(220)を主とするMg2Si薄膜を,マグネトロンスパッタリングによって,ソーダ石灰ガラス基板上に,首尾よく調製した。堆積Mg膜の厚さの増加とともに,Mg2Siの回折ピークは徐々に増加し,膜の表面はより連続的になり,抵抗率は徐々に減少し,Hall移動度は徐々に減少し,キャリア濃度は増加した。また、Si膜の導電型とMg膜の厚さは共にMg2Si薄膜の導電型に影響を与える。N-Si膜をスパッタしたとき,Mg2Si薄膜の導電型は,Mg膜厚の増加とともに,P型からN型に変化した。P-Si膜をスパッタリングしたとき,Mg2Si薄膜の導電型はP型であった。Mg2Si半導体薄膜の電気伝導型を制御することができ、これはMg2Si薄膜のデバイス開発に対して重要な指導意義がある。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体薄膜 ,  膜厚 ,  キャリア密度 ,  計測器 ,  マグネトロンスパッタリング ,  X線回折 ,  *ソーダ石灰ガラス ,  *ケイ素 ,  結晶構造 ,  焼なまし ,  電気抵抗率 ,  走査電子顕微鏡 ,  *マグネシウム ,  Hall移動度
準シソーラス用語： 表面形態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： soda-lime glass ,  Mg2Si film ,  film thickness ,  magnetron sputtering

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (3件)： ソーダ石灰ガラス ,  調製 ,  電気的性質