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J-GLOBAL ID：201702268328468590   整理番号：17A0933193

Bドープおよび非ドープ多結晶ダイヤモンド膜の電荷ベース深準位過渡分光

Charge-based deep level transient spectroscopy of B-doped and undoped polycrystalline diamond films

著者 (8件)： PAPROCKI Kazimierz (Kazimierz Wielki Univ., Bydgoszcz, POL) ,  FABISIAK Kazimierz (Kazimierz Wielki Univ., Bydgoszcz, POL) ,  BOGDANOWICZ Robert (Gdansk Univ. Technol., Gdansk, POL) ,  GOLUNSKI Lukasz (Gdansk Univ. Technol., Gdansk, POL) ,  STARYGA Elzbieta (Technical Univ. Lodz, Lodz, POL) ,  SZYBOWICZ Miroslaw (Poznan Univ. Technol., Poznan, POL) ,  KOWALSKA Magdalena (Univ. Technol. and Life Sci., Bydgoszcz, POL) ,  BANASZAK-PIECHOWSKA Agnieszka (Kazimierz Wielki Univ., Bydgoszcz, POL)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 52  号： 17  ページ： 10119-10126  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CVDダイアモンド膜ではその水素終端化に伴うp型伝導性が電極材料への用途をもたらし,水素原子の役割が種々調べられたがまだ十分には理解されていない。Bドープ有無のCVDダイヤモンド膜をドープ無は熱フィラメントCVDでドープ有はマイクロ波プラズマCVD法を用いて合成しその電気特性を調査した。Raman帯FWHM,結晶子サイズと優先配向などの構造特性はsp²/sp³比とH濃度ともに両ダイヤモンド膜間で本質的差が認められた。活性化エネルギーと捕獲断面積を電荷ベース深準位過渡分光測定で推定し,活性化エネルギーはドープ無(0.055eV)に比べBドープ(0.038eV)が低かった。これらの結果はDC測定で得られた結果と一致した。低活性化エネルギーは水素化CVDダイヤモンド膜に特徴的であった。所定の温度範囲内ではBアクセプタとも関連する深い準位トラップの存在は観察されなかった。

シソーラス用語： 多結晶 ,  *ダイヤモンド ,  *深準位過渡分光法 ,  プラズマCVD ,  電気特性 ,  結晶粒径 ,  優先配向 ,  構造特性 ,  濃度 ,  水素 ,  活性化エネルギー ,  断面積 ,  捕獲 ,  水素化 ,  アクセプタ ,  エネルギー準位 ,  末端基 ,  不純物伝導 ,  電極材料 ,  捕獲中心 ,  *薄膜 ,  ドーピング ,  *添加物効果 ,  ホウ素
準シソーラス用語： P型伝導 ,  *ダイヤモンド膜 ,  トラップ準位 ,  マイクロ波プラズマCVD ,  水素終端 ,  水素濃度 ,  多結晶ダイヤモンド ,  熱フィラメントCVD ,  捕獲断面積

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  多結晶 ,  ダイヤモンド膜 ,  電荷 ,  深準位過渡分光