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J-GLOBAL ID：201702268361586284   整理番号：17A1350445

生産品質の研究とELKウエハWLCSPパッケージの信頼性リスク【Powered by NICT】

Investigation of Production Quality and Reliability Risk of ELK Wafer WLCSP Package

著者 (7件)： Tsao P. H. ,  Chen T. M. ,  Kuo Y. L. ,  Kuo C. M. ,  Hsu Steven ,  Lii M. J. ,  Chu L. H.
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECTC  ページ： 371-375  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： WLCSPは非常に低いパッケージコストと良好な電気的性能の利点による携帯型ウェアラブル電子製品のパッケージソリューションのための広く採用されている。WLCSPはシリコンICチップに保護をほとんど提供しないから,その品質と信頼性性能を考慮した応用にとって重要となる。極端な低k金属間誘電体材料(ELK IMD)と4x4mm2チップサイズの28nm TVは,シリコン亀裂抵抗に及ぼす,WLCSPプロセスで使用される,レーザ溝切りの影響を研究することにより,WLCSP生産品質研究に用いた。四つの異なるレーザ溝切りDOEを分割は,異なる電力,速度および周波数を含めて実行した。2m高さsinglereel降下と3点曲げ試験によるハンマー試験は,各分割のシリコン亀裂抵抗性能を評価するために行った。試験結果は,シリコンチッピング欠陥のない単リール液滴数による高い3点曲げ力と高いシリコン亀裂抵抗による高いダイ強度を達成した低レーザパワーと低単位長地域電力密度を持つ分割を示した。さらに,WLCSPシリコン亀裂欠陥に及ぼすテープとリール(TnR)ポケット設計影響も評価した。小チップポケット耐性を用いた設計Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *信頼性 ,  亀裂 ,  電力 ,  ケイ素 ,  液滴 ,  耐亀裂性 ,  携帯型 ,  周波数 ,  *品質 ,  レーザ出力 ,  レーザ ,  誘電材料 ,  溝切り
準シソーラス用語： 電力密度 ,  *WLCSP , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電力系統一般  (NB02000E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 研究 ,  ウエハ ,  WLCSP ,  パッケージ ,  リスク