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J-GLOBAL ID：201702268398885178   整理番号：17A1649681

サブミクロンデバイス技術の進歩【Powered by NICT】

Progress in submicron device technology

著者 (10件)： Kundu Soumik Kumar (Department of Electronics and Communication Engineering, Institute of Engineering & Management, Kolkata) ,  Karmakar Samit (Department of Electronics and Communication Engineering, Institute of Engineering & Management, Kolkata) ,  Taki G. S. (Department of Electronics and Communication Engineering, Institute of Engineering & Management, Kolkata) ,  Roy Aishwarya (Department of Electronics and Communication Engineering, Institute of Engineering & Management, Kolkata) ,  Choudhuri Chayanika Dhar (Department of Electronics and Communication Engineering, Institute of Engineering & Management, Kolkata) ,  Basu Megha (Department of Electronics and Communication Engineering, Institute of Engineering & Management, Kolkata) ,  Basak Ankan (Department of Electronics and Communication Engineering, Institute of Engineering & Management, Kolkata) ,  Upadhyay Rishav (Department of Electronics and Communication Engineering, Institute of Engineering & Management, Kolkata) ,  Raj Abhinav (Department of Electronics and Communication Engineering, Institute of Engineering & Management, Kolkata) ,  Mandal Satyaki (Department of Electronics and Communication Engineering, Institute of Engineering & Management, Kolkata)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEMECON  ページ： 318-320  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブミクロン範囲で金属-酸化物-半導体(MOS)デバイスのスケーリングは,短チャネル効果(SCE)に起因する大きな漏れ電流による高いデバイス電力消費を経験する。MOS技術における高k誘電体ゲートスタックの使用は,これらの問題を解くことができる。MOSデバイスの構造は,22nm技術以下で重要な問題であると思われる。技師は,既存の技術の欠点を除去するために,FinFET,トンネルFET(TFET),炭素ナノチューブに基づくTFET(T CNFET),ナノワイヤFET(NWFET)を考案した。このようなデバイスのさまざまな特徴を本論文で議論した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化物 ,  技術者 ,  カーボンナノチューブ ,  電力消費 ,  *MOSFET ,  短チャネル効果 ,  漏れ電流 ,  半導体
準シソーラス用語： ナノワイヤトランジスタ ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  FinFET ,  ゲートスタック ,  高k誘電体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)