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J-GLOBAL ID：201702268430303448   整理番号：17A1727663

高性能光安定なペロブスカイトと有機太陽電池のための溶液処理したインジウム酸化物電子輸送層【Powered by NICT】

Solution-processed indium oxide electron transporting layers for high-performance and photo-stable perovskite and organic solar cells

著者 (7件)： Yoon Seokhyun (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul 03722, Korea) ,  Kim Si Joon ,  Kim Harrison S. ,  Park Joon-Suh ,  Han Il Ki ,  Jung Jae Woong ,  Park Minwoo
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 42  ページ： 16305-16312  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面工学は太陽電池の素子性能と安定性を改善する鍵であると考えられている。特に,金属ハロゲン化物ペロブスカイト太陽電池(PSC)における電子輸送層(ETL)として使用した場合,TiO_2ナノ構造は20%以上の優れた電力変換効率(PCE)をもたらした。界面におけるペロブスカイトと抑制された電荷再結合からの電荷キャリアを移動した。しかし,ペロブスカイトにTiO_2の光触媒効果を紫外線照射の下でデバイス性能を著しく劣化させることができる。,広いバンドギャップを有するn型金属酸化物の他のクラスは,それらの光安定性を改善するために開発されるべきである。ここでは,溶液プロセスによるIn_2O_3薄膜の開発とPSCと有機太陽電池(OSC)のETLとしてのそれらの応用を実証した。前駆体薄膜の熱分解により得られたピンホールフリーIn_2O_3ETLは高い伝導率(2.49 × 10~ 4 S cm~ 1)と低い表面粗さ(7.33 nm)を示した。これはPSCと反転型OSCで14.63%と3.03%の優れたPCEをもたらした。In_2O_3PSCは,74%と46%のPCE保持につながる,In_2O_3のより広いバンドギャップPSCと逆OSCの初期PCE値に相対的によりTiO_2~-PSCよりも良好な光安定性を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸化インジウム ,  ハロゲン化物 ,  紫外線照射 ,  界面 ,  バンドギャップ ,  ナノ構造 ,  *太陽電池 ,  薄膜
準シソーラス用語： 光安定性 ,  電荷キャリア ,  電荷再結合 ,  電力変換効率 ,  *電子輸送層 ,  *溶液処理 ,  *有機太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： ペロブスカイト ,  有機太陽電池 ,  溶液処理 ,  インジウム酸化物 ,  電子輸送層